Использование источника внутреннего опроного напряжения
- Войдите на сайт для отправки комментариев
Вс, 17/07/2016 - 06:32
Добрый день!
Подскажите, плис. Какую минимальную нагрузку можно повесить на AREF при использовании внутреннего источника опроного напряжения (ИОН)? 60-70 кОм он потянет? Даташит не рекомендует этого делать "Note that VREF is a high impedance source, and only a capacitive load should be connected in a system", а очень хочется.
VREF мне нужен в аналоговой части для задания величины тока резистивных датчиков (включены в ОС операционников). Внешний ИОН требуется подключать к AREF через резистор 5к, поскольку еще в проекте измеряется температура кристалла (она требует внутреннего ИОН), и значит надо будет переключаться между внутренним и внешним ИОН. А дополнительный резистор - это делитель напряжения с "грубыми" номиналами сопротивлений и соответственно никакой точностью.
Использование единого внутреннего ИОН упрощает задачу, но возникает вопрос с допустимой нагрузкой. Можно ли повесить на него напрямую резистивную нагрузку (делитель напряжения для задания смещения операционнику) или только через повторитель на том же операционнике?
Кто-нибудь делал так?
Через внутренний опорник ток -- микроамперы. Если вы его сместите "сбоку", то опираться он станет на собственные представления о прекрасном. Он и так-то "никакой", а если ему еще снаружи шумы и помехи подпустить, то лучше будет его использовать, как генератор случайных чисел.
Если я правильно понял из описания ATmega328, то там внутренний ИОН шунтируется на землю сопротивлением в 32к. Иначе как при подключении внешнего ИОН через резистор 5к образуется делитель напряжения. В этом случае использование внешнего ИОН вообще теряет смысл, т.к. стабильность внутреннего сопротивления и его зависимость от температуры неизвестна. И что там получится на выходе делителя, никому неизвестно. Внутренний ИОН народ теститровал, если гугл не врет. Его стабильности вполне достаточно, а номинал можно калибрануть по известному напряжению.
Неужели ему повредят лишние 10-20 мкА на внешнем делителе?
Или как тогда лучше поступить в моем случае, когда нужен внутренний ИОН для измерения темературы кристалла и внешний ИОН для организации питания аналоговой части? Если б можно было обойтись только внутренним, я бы прыгал от счастья.
PS: Изначально я планировал использовать один только внешний ИОН, но тут выяснилось, что температура кристалла измеряется только с внутренним. А дополнительный датчик температуры на плату ставить бюджет не позволяет.