Первый раз встречаю такую интерпритацию работы транзистора. Обычно смотрю даташит и если там написано максимальный ток, к примеру, 0.5А то больше брать нельзя СГОРИТ и независимо где нагрузка в коллекторе или эметере.
А зря, потому как максимальный ток и, самое главное, коэффициент усиления по току, указывают как раз для подключения с ОЭ, когда нагрузка на коллекторе.
И дело тут вовсе не в токах, а в том, что допустимая рассеиваемая мощность коллектора технологически всегда больше, чем у эммитера. При нагрузке на коллекторе (схема с ОЭ), меняя ток БЭ мы управляем сопротивлением КБ, так как мимо базы ток не потечет конструктивно. А нагрев при одинаковом токе больше того участка цепи, у которого больше сопротивление. В усилительном режиме это более заметно, но и в ключевом не мало важно. Причем, чем больше частота - тем большее это имеет значение, так как из режима отсечки в режим насыщения и обратно транзистор мгновенно переключиться не может.
Уточню - речь именно про нагрев и необходимость рассеивать тепло. Коллектор всегда лучше охлаждается и его легче охладить. Суть именно в этом.
При нагрузке на коллекторе (схема с ОЭ), меняя ток БЭ мы управляем сопротивлением КБ, так как мимо базы ток не потечет конструктивно.
Принцип работы биполярного транзистора, основан на воспроизводстве и рекомбинации носителей заряда ЭЛЕКТРОН - ДЫРКА, но ни как на управлении СОПРОТИВЛЕНИЕМ КБ. Я, думаю стоит почитать хотя-бы википедию.
При нагрузке на коллекторе (схема с ОЭ), меняя ток БЭ мы управляем сопротивлением КБ, так как мимо базы ток не потечет конструктивно.
Принцип работы биполярного транзистора, основан на воспроизводстве и рекомбинации носителей заряда ЭЛЕКТРОН - ДЫРКА, но ни как на управлении СОПРОТИВЛЕНИЕМ КБ. Я, думаю стоит почитать хотя-бы википедию.
Описывать здесь приницип управления не намерен, так как только понятное читателям описание физики p-n перехода потребует больше, чем позволяет этот форум. А вот Вам рекомендую почитать, хотя-бы википедию, чтобы узнать о том, что закон Ома соблюдается на любом участке цепи и, в том числе, внутри транзистора )
И если бы сопротивление перехода КБ не менялось, то и вольт-амперная характистика у любого транзистора была бы строго линейной )
1. Коллектор всегда способен управлять большей нагрузкой, чем эммитер
как это ?
Иэ = Ик + Иб , нет ?
Иб >>>>>> 0
Примерно Иэ = Ик +0 - так ?
Тогда ты не прав.....
Ограничение связано с рассеиваемой мощностью. А мощность и ток - далеко не одно и то же.
Первый раз встречаю такую интерпритацию работы транзистора. Обычно смотрю даташит и если там написано максимальный ток, к примеру, 0.5А то больше брать нельзя СГОРИТ и независимо где нагрузка в коллекторе или эметере.
А зря, потому как максимальный ток и, самое главное, коэффициент усиления по току, указывают как раз для подключения с ОЭ, когда нагрузка на коллекторе.
И дело тут вовсе не в токах, а в том, что допустимая рассеиваемая мощность коллектора технологически всегда больше, чем у эммитера. При нагрузке на коллекторе (схема с ОЭ), меняя ток БЭ мы управляем сопротивлением КБ, так как мимо базы ток не потечет конструктивно. А нагрев при одинаковом токе больше того участка цепи, у которого больше сопротивление. В усилительном режиме это более заметно, но и в ключевом не мало важно. Причем, чем больше частота - тем большее это имеет значение, так как из режима отсечки в режим насыщения и обратно транзистор мгновенно переключиться не может.
Уточню - речь именно про нагрев и необходимость рассеивать тепло. Коллектор всегда лучше охлаждается и его легче охладить. Суть именно в этом.
При нагрузке на коллекторе (схема с ОЭ), меняя ток БЭ мы управляем сопротивлением КБ, так как мимо базы ток не потечет конструктивно.
Принцип работы биполярного транзистора, основан на воспроизводстве и рекомбинации носителей заряда ЭЛЕКТРОН - ДЫРКА, но ни как на управлении СОПРОТИВЛЕНИЕМ КБ. Я, думаю стоит почитать хотя-бы википедию.
При нагрузке на коллекторе (схема с ОЭ), меняя ток БЭ мы управляем сопротивлением КБ, так как мимо базы ток не потечет конструктивно.
Принцип работы биполярного транзистора, основан на воспроизводстве и рекомбинации носителей заряда ЭЛЕКТРОН - ДЫРКА, но ни как на управлении СОПРОТИВЛЕНИЕМ КБ. Я, думаю стоит почитать хотя-бы википедию.
Описывать здесь приницип управления не намерен, так как только понятное читателям описание физики p-n перехода потребует больше, чем позволяет этот форум. А вот Вам рекомендую почитать, хотя-бы википедию, чтобы узнать о том, что закон Ома соблюдается на любом участке цепи и, в том числе, внутри транзистора )
И если бы сопротивление перехода КБ не менялось, то и вольт-амперная характистика у любого транзистора была бы строго линейной )
1. Коллектор всегда способен управлять большей нагрузкой, чем эммитер
как это ?
Иэ = Ик + Иб , нет ?
Иб >>>>>> 0
Примерно Иэ = Ик +0 - так ?
Тогда ты не прав.....
Ограничение связано с рассеиваемой мощностью. А мощность и ток - далеко не одно и то же.