Крайне интересной получается у нас беседа. Когда я конкретно и предметно говорю о том, что таймеры у меги не синхронизируются (факт хорошо известный тем, кто хоть немного знаком с этим МК), то это, по вашему мнению, догмы и демагогия. Зато когда вы начинаете плести про женщину 50-и лет за рулем, заявления Майкрософта и Оракла, отзывы автомобилей неназванными производителями, то это никакое не словоблудие, а железобетонные доказательства того, что таймеры у атмеги склонны к само-синхронизации? Вы в расчете на кого этот бред сюда выплескиваете?
Детка, ты и впрямь настолько глуп, что не понял о чем я? Или стремление доказать, что если ты считаешь, что такого быть не может, то значит его нет, тебе глаза пеленой закрыло? )))
А потом я стал читать эти аппноуты. И увидел, что они рекомендуют значительно меньшие сопротивления (раз этак в 5).
Стал думать, почему. Залез в datasheet и посмотрел на длительность фронтов переключений. Думаю, что в них дело, но не уверен…
В них, в них. Если бы для AVR было бы указано, что 40ма нагрузки на выход постоянные и 80ма, при пульсации со скважностью больше 10, то смело можно было бы 80ма на управление MOSFETом брать. Для многих транзисторов, кстати, это указывается.
А вообще, насколько я понимаю, сама ардуина именно так и делает: инициализирует таймеры по очереди, либо когда ты вызываешь analogWrite, либо при старте.
Я уже писал выше. Если пользоваться Arduino IDE, а не Atmel Studio, то инициализация просходит в файле wiring.c фунцией init().
mnashe пишет:
1. Расстояние по времени между запусками таймеров (всех трёх!!!) целое число раз укладывается в период ШИМа (это уже само по себе практически недостижимо).
Нет в AVR ничего, что запрещает это сделать. Более того, если погуглить, можно найти, что некоторые специально синхронизировали таймеры. Не для ШИМ, а для каких-то иных целей.
mnashe пишет:
В таком и только таком случае мк получит очень короткие пики перегрузки 250 мА (с частотой ШИМа), разряжая на землю одовременно все шесть затворов. На плюс, однако, они никак не совпадут.
Во-первых, выше результат симуляции на multisim, который показывает токи до 600ма. Впрочем, это пик-пик, так что, если считать от нуля, то все же 300ма. Во-воторых, никто не запрещает использовать инверсный ШИМ. И держать в голове при программировании, что инвертировать нельзя совсем не кузяво )
mnashe пишет:
Можешь представить, какова вероятность исполнения всех условий одновременно?
Представляю. Легко. Вероятность синхронизации двух таймеров 1/256. Трех - 1/65536. Будем считать, что только в одном случае из 10 разработчик пожелает отказаться от стандартной инициализации Arduino IDE или где-то в коде сам будет запускать/останавливать таймеры, переводя ШИМ порты в обычный 0 или 1.
Ну ладно, пусть даже в одном случае из 100. Общая вероятность события оказывает 1/6,553,600. Но это вероятность события в один произвольный, но фиксированный весьма малый промежуток времени. А вот вероятность возникновения этой ситуации для одного из 1000 МК в течении года будет уже близка к единице.
А вообще, насколько я понимаю, сама ардуина именно так и делает: инициализирует таймеры по очереди, либо когда ты вызываешь analogWrite, либо при старте.
Я уже писал выше. Если пользоваться Arduino IDE, а не Atmel Studio, то инициализация просходит в файле wiring.c фунцией init().
Ага. Надо будет глянуть.
ptr пишет:
mnashe пишет:
1. Расстояние по времени между запусками таймеров (всех трёх!!!) целое число раз укладывается в период ШИМа (это уже само по себе практически недостижимо).
Нет в AVR ничего, что запрещает это сделать. Более того, если погуглить, можно найти, что некоторые специально синхронизировали таймеры. Не для ШИМ, а для каких-то иных целей.
Так мы же обсуждаем случай, когда это нежелательное явление случилось само по себе, а не когда его специально сделали.
ptr пишет:
mnashe пишет:
Можешь представить, какова вероятность исполнения всех условий одновременно?
Представляю. Легко. Вероятность синхронизации двух таймеров 1/256. Трех - 1/65536.
Стоп. Откуда 1/256? При какой частоте?
Я исхожу из предположения, что ни в какой код не лезем и полностью полагаемся на ардуино.
То есть все три пары ШИМов работают на одной частоте, 16 МГц / 32768 = 488,28 Гц (точно не помню, но такого порядка).
Значит, между запуском всех таймеров должны проходить строго кратные этим 32768 (значению prescaler, короче) промежутки. Это же уйма времени! Что мк будет так долго делать?
Если запуск всех таймеров происходит в init(), то это вообще не реально.
И время работы тут ничего не изменит: частота же не плывёт, ибо все таймеры опираются на тактовую частоту. Так что смещение останется постоянным. И даже при каждом следующем запуске оно в таком случае будет тем же.
Если же запуск таймеров происходит при каждом analogWrite(), то событие возможно, но вероятность его будет 2⁻³º (=1/32768²). При запуске функции (ведущей к перезапуску таймеров) даже каждые 5 секунд (что нереально, конечно) нам потребуется в среднем 5 миллиардов секунд! Это 170 лет.
И это только вероятность первого из шести условий (и то только если analogWrite() сбрасывает таймеры)! А должны выполниться все шесть!
ptr пишет:
А вот вероятность возникновения этой ситуации для одного из 1000 МК в течении года будет уже близка к единице.
Нет. Нулевая вероятность останется нулевой, будь у нас хоть всё мировое время (это если запуск происходит в init()).
Если же запуск в analogWrite(), то вероятность есть, только времени нашей жизни нам явно не хватит на все 6 условий.
Забыл, что у таймеров 0 и 1 общий прескалер, а вот у 2 ведь свой личный.
Наверно, у таймера 1 свой prescaler. Он же 16-битный, остальные 8-битные.
Но это неважно, поскольку частоту ардуино даёт всем троим одну. И вероятность задаётся не количеством циклов, а числом тактов на цикл ШИМ (общим для всех трёх).
ptr пишет:
Но на результат это мало повлияет, так как за год у 1000 МК количество периодов ШИМ будет ~1.5⋅10¹³
Количество циклов ШИМ роли не играет, поскольку частоты всех ШИМов совпадают. Важно лишь количество перезапусков таймеров (если оно происходит не в init(), иначе вероятность — 0). Каждый перезапуск — новый шанс на синхронизацию. До следующего перезапуска таймера ничего измениться не может, сколько тут ни ШИМь.
Так мы же обсуждаем случай, когда это нежелательное явление случилось само по себе, а не когда его специально сделали.
Что значит "специально"? Программируя надо постоянно держать в голове такую особенность. Например, одной командой out DDRD, r20 можно ненароком создать передний фронт одновременно по трем каналам (если в r20 0xFF). Ну и таймеры могут использоваться в коде для разных целей, не только для ШИМ, что и может потребовать их инициализацию, остановку и запуск.
mnashe пишет:
Откуда 1/256? При какой частоте?
Частота ни при чем. У таймеров 0 и 1 прескалер общий. То есть, если у этих таймеров совпадает prescaler settings, то различных моментов их запуска 256. Глава 17 в даташите.
mnashe пишет:
Я исхожу из предположения, что ни в какой код не лезем и полностью полагаемся на ардуино.
Я не понимаю этой фразы. Ардуино не более чем МК на плате. Без кода он не способен вообще ни на что. Ну разве что еще bootloader есть, в который можно не лезть, но и это не факт. На Arduino Pro Mini его может и не быть.
Иными словами, не кодируя, заставить ардуину что-то делать просто невозможно )
mnashe пишет:
Значит, между запуском всех таймеров должны проходить строго кратные этим 32768 (значению prescaler, короче) промежутки.
Совсем не строго. Таймер выполнит первый отчет по очередному фронту от прескалера, а не когда мы его запустим.
mnashe пишет:
Это же уйма времени! Что мк будет так долго делать?
Например, перепрограммировать таймер, посылать что-то по ИК или обмениваться по SPI, а затем опять перепрограммировать таймер в режим генератора ШИМ.
mnashe пишет:
Если запуск всех таймеров происходит в init(),
Я же выше написал. Если МК кроме управления ШИМ, например, еще по IR что-то посылает или по I2C общается, то перепрограммировать таймеры может потребоваться в ходе вполнения программы уже после выполнения init().
mnashe пишет:
При запуске функции (ведущей к перезапуску таймеров) даже каждые 5 секунд (что нереально, конечно) нам потребуется в среднем 5 миллиардов секунд! Это 170 лет.
То есть, у 1000 посетителей этого форума, повторивших подобную схему, данная проблема будет возникать каждые два месяца )
Каждый перезапуск — новый шанс на синхронизацию. До следующего перезапуска таймера ничего измениться не может, сколько тут ни ШИМь.
Хорошо, пусть перезапуск происходит раз в минуту. Вместо 10^13 получим 10^9. Все равно на два порядка больше, чем 10^7
Я ведь не даю схеме эмоциальных оценок, как a5021. Я не утверждаю, что она плохая, что это схема "шиза", "бред", или что у ее автора "утлые представления". Я просто указываю на то, что существует ненулевая вероятность выхода их строя МК при применении этой схемы на шести каналах. На трех каналах этой проблемы уже не возникает. То есть, если говорить только о приведенной схеме для трех каналов - она вполне рабочая и к ней нет претензий.
Кстати, как то проскочили, что в заголовке схемы речь о токе до 3А, а данная схема до 2.5А. Исключительно по даташиту на IRL530
Например, одной командой out DDRD, r20 можно ненароком создать передний фронт одновременно по трем каналам (если в r20 0xFF).
Три канала — не страшно.
ptr пишет:
Ну и таймеры могут использоваться в коде для разных целей, не только для ШИМ, что и может потребовать их инициализацию, остановку и запуск.
Тогда мы просто попадаем в расчёты по второму варианту (инициализация таймеров не в init()).
ptr пишет:
mnashe пишет:
Откуда 1/256? При какой частоте?
Частота ни при чем. У таймеров 0 и 1 прескалер общий. То есть, если у этих таймеров совпадает prescaler settings, то различных моментов их запуска 256. Глава 17 в даташите.
Аааа… Это сильно меняет дело. Тогда да, для таймеров 0 и 1, раз у них общий модуль prescaler’а, есть только 256 возможных значений. И вместо 1/32768² мы получаем 1/(32768×256)=2⁻²³, то есть при той же (нереальной) частоте перезапуска таймеров каждые 5 секунд получаем уже не раз в 170 лет, а раз в год с хвостиком. Но это при той нереальной частоте и только по первому событию, а надо и остальные 5 учесть.
ptr пишет:
mnashe пишет:
Я исхожу из предположения, что ни в какой код не лезем и полностью полагаемся на ардуино.
Я не понимаю этой фразы. Ардуино не более чем МК на плате. Без кода он не способен вообще ни на что. Иными словами, не кодируя, заставить ардуину что-то делать просто невозможно )
Под «ардуино» здесь я подразумеваю, конечно, не мк, а стандартные функции, разработанные командой ардуино (инициализацию и analogWrite).
ptr пишет:
mnashe пишет:
Значит, между запуском всех таймеров должны проходить строго кратные этим 32768 (значению prescaler, короче) промежутки.
Совсем не строго. Таймер выполнит первый отчет по очередному фронту от прескалера, а не когда мы его запустим.
Да, действительно, я уже понял.
Но с другой стороны, это даже лучше для нас!
Ведь даже если analogWrite меняет значения таймеров, — вряд ли он обнуляет prescaler’ы. А значит, если два prescaler’а (от t0 с t1 и от t2) не синхронизировались при инициализации (а для этого таки нужно, чтобы прошёл полный перод одного prescaler’а перед запуском второго, а это очень много времени в масштабах мк), то они не синхронизируются никогда, и максимум, что у нас есть шанс получить (тоже с весьма низкой вероятностью), — одновременный фронт по четырём каналам, а это безопасно.
ptr пишет:
mnashe пишет:
Это же уйма времени! Что мк будет так долго делать?
Например, перепрограммировать таймер, посылать что-то по ИК или обмениваться по SPI, а затем опять перепрограммировать таймер в режим генератора ШИМ.
Хорошо, тогда да, событие возможно, и возвращаемся к подсчёту вероятности (2⁻²³).
ptr пишет:
mnashe пишет:
При запуске функции (ведущей к перезапуску таймеров) даже каждые 5 секунд (что нереально, конечно) нам потребуется в среднем 5 миллиардов секунд! Это 170 лет.
То есть, у 1000 посетителей этого форума, повторивших подобную схему, данная проблема будет возникать каждые два месяца )
:o
Представил себе 1000 посетителей форума, повторяющих подобную схему :)
Но вообще-то, конечно, надо исходить из реальной задачи, а не пытаться скомпоновать из всех вариантов одно нереальное сочетание.
Если мы активно лезем в программирование портов, синхронизиуем таймеры и т.п. — то тогда действительно есть смысл принять дополнительные меры. Совсем несложные!
Четыре варианта навскидку:
1. Ограничиться 30 мА на канал вместо 40 (подобрав подходящий транзистор).
2. Взять дополнительную миньку (≈$1.30), которую использовать только на 2–4 канала ШИМ.
3. Выделить отдельную миньку для всех ШИМов (но за неё мы будем уверены, что там не синхронизируется).
4. Скинуть часть каналов на выделенный дешёвый мк (некоторые pic с четырьмя 10-битными каналами стоят меньше полудоллара).
Правда, последний вариант вряд ли имеет смысл только для решения проблемы синхронизации. Потому что у pic, в отличие от avr, всего 25 мА на канал, а 6×25 мА мы и с меги без проблем получим. Вот если нам в любом случае надо добавить каналов или если нам не хватает 8 бит (мне действительно не хватает), тогда есть смысл.
Вот я в своём контроллере освещения (который ещё не собрал, пока только разводку нарисовал) собираюсь использовать одновременно ардуино для интерфейса и pic16f1935 для собственно управления светом (ШИМ и переключение каналов, их там больше двух десятков: всякие разные цветные, RGBW, COB разной цветовой температуры). Да ещё и 74HC595 к тому же. И три оптопары там есть, потому что переключать каналы мне надо в верхнем плече, и чтобы туда дотянуться, нужно поставить переключатели землёй на плюс светодиодных драйверов. Светодиоды оптопар подключены к МК, а фототранзисторы оптопар управляют тремя входами 74HC595:
Если мы активно лезем в программирование портов, синхронизиуем таймеры и т.п. — то тогда действительно есть смысл принять дополнительные меры. Совсем несложные!
Четыре варианта навскидку:
1. Ограничиться 30 мА на канал вместо 40 (подобрав подходящий транзистор).
2. Взять дополнительную миньку (≈$1.30), которую использовать только на 2–4 канала ШИМ.
3. Выделить отдельную миньку для всех ШИМов (но за неё мы будем уверены, что там не синхронизируется).
4. Скинуть часть каналов на выделенный дешёвый мк (некоторые pic с четырьмя 10-битными каналами стоят меньше полудоллара).
Первый вариант приемлем, но ценой затягивания фронтов на MOSFET и его большим нагревом. То есть, хотя бы к аллюминиевому уголку их прикрутить нужно будет. Остальные варианты существенно дороже того, что я уже в этой теме выкладывал и эмулировал в Multisim. Если не хотите делать гальваническую развязку, то просто выкиньте оттуда оптроны. Они там все равно с КУ 1 включены и усилительных функций не выполняют. А комплементарная пара маломощных транзисторов для двухтактного усилителя у меня получилась меньше, чем за полтора рубля. И все. Зато всего по 2-3ма с каждого вывода МК, что позволяет не задумываясь вообще грузить остальные выводы, если сие потребуется.
И, кстати, раскачивая MOSFET 12 вольтами, вместо 5 мы можем использовать более дешевые IRF530 по 16 рублей/штука, вместо IRL530 по 25 рублей/штука, и коммутировать при этом 10А, вместо 2.5А
То есть два дополнительных резистора (60 коп) и два транзистора (1 руб 40 коп), итого 2 рубля, удешевляют стоимость одного канала на 7 рублей )
Потому я, на радостях, и добавил оптрон за 1 руб 20 коп )
Как альтернатива IRL530 рассматривался IRLZ44, так как он подходит, но стоит 22 рубля. Но и с ним выигрыш составляет от 4 рублей без оптрона до почти трех - с оптроном.
А можно и AO3402. Условия задачи тянут (3 А при 4,5 В на затворе), ёмкость затвора в два с лишним раза меньше, чем у AO3400 и IRF530, цена значительно ниже (2-3 цента штука). И не нужно ничего лишнего!
DC Current per I/O Pin . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40.0mA
DC Current VCC and GND Pins . . . . . . . . . . 200.0mA
Буквы DC вы незаметили или не поняли?
Это ограничение по постоянному току. К импульсному току заряда затвора отношения не имет никакого вообще. Ограничение максимального DC чисто тепловое, вызваное необходимостью постоянно рассеивать тепло от потерь в открытых ключах. Если нет проблем с теплом любой мосфет, и тот что в МК тоже, легко выдерживает многократное и иногда даже многодесяткократное превышение. Пример - тот же AO3400
Continuous Drain Current 5.8A 4.9A TA=25°C TA=70°C
Pulsed Drain Current C C 30A
Кратность 5-6 раз, чем хуже охлаждение тем больше кратность будет. Ограничение импульсного тока имеет не тепловую природу (деградация структуры при высоких плотностя тока, электродифузия, лавинный пробой и др.)
Теперь про параметры импульса заряда затвора. Если грубо - считаем так Q=i*t: заряд затвора Q у вышеприведеного тр-ра 6нКл. Чтоб его зарядить-разрядить даже током 40мА надо 150нс при прямоугольном импульсе. Можете сравнить с параметрами оптопары шо выше приводились - сразу увидите кто медленный. Точно посчитать тут не получится запросто - фронт затянут, сопротивление канала ключа в МК не известно, емкости и индуктивности монтажа неизвестны, не напрягайтесь считать, потому эмули схем - сразу в топку. Но эти неизвестные только замедлят заряд и соответственно снизят ток. Очевидно что затяжка процесса снижает требуемый ток даже лучше чем резистор.
Если ключ действительно мощный, от 100А допустим, то цифры ростут сильно и быстро, там нужен драйвер для их обеспечения. Здесь - нет. Опять же оптрон как в предлагаемой схеме здесь вообще не причем, только проблемы добавит. Был бы драйвер на 2-3 транзиках, ну ладно еще перестраховался. А так "гальваноразвязка", ага при соединенных землях)).
Как вывод:
1. По расчетам токов - сливайте, воду, не туда пошли, любительскими методами не решается.
2. Подключение мосфетов по простой схеме не нарушает известныых параметров МК, а неизвестные - неизвестны.
3. Практика показывает приминимость простой схемы. И моя практика и многих остальных на протяжении многих лет.
ПС. По совпадению моментов переключения - ну параноики могут принять програмные меры)) У меня есть устройство в котором 4 мосфета на выводе регистра через 75Ом, работает ШИМ 365*24 уже много лет. Выводы регистра всегда открывают мосфеты одновременно ну а закрывают каждый как прийдется в ШИМ. Почему не сгорело?
Знаю но очень не люблю SOT, SMD и прочие корпуса, которые ни к обычной макетке, ни, тем более, к breadboard не прицепить. А самостоятельно травить платы мне и некогда, и не хочется.
Двухтактники уже полвека активно используются не только в серийной аппаратуре, но и в военной и космической. Включая выходы МК ардуино )
Logik, вот, я так и предполагал (сам не проверил), что 200 мА относятся к постоянному току, так что все мои выкладки про невероятную синхронизацию чисто теоретические, даже если она произойдёт и зафиксируется, при таких частотах средний ток будет ничтожным, а короткие пульсы не составят проблему.
А какой резистор ты, исходя из своего опыта, рекомендуешь поставить между мк и затвором AO3402 (ёмкость затвора порядка 250 пФ, полный заряд при макс. напряжении питания (литиевый аккумулятор) 4,5 нКл) для работы с ШИМ частотой 500 кГц?
Это ограничение по постоянному току. К импульсному току заряда затвора отношения не имет никакого вообще.
Continuous Drain Current 5.8A 4.9A TA=25°C TA=70°C
Pulsed Drain Current C C 30A
Внимательно читаем то что, вы сами написали. DC = Drain Current. Как же тогда понимать фразу "Pulsed Drain Current"?
Logik пишет:
Теперь про параметры импульса заряда затвора. Если грубо - считаем так Q=i*t: заряд затвора Q у вышеприведеного тр-ра 6нКл. Чтоб его зарядить-разрядить даже током 40мА надо 150нс при прямоугольном импульсе.
А почему у меня Multisim почти микросекунду показывает? Глючит?
А если увеличить резистор до 150Ом, как тут уже предлагали, вообще больше микросекунды получиться.
Logik пишет:
Можете сравнить с параметрами оптопары шо выше приводились - сразу увидите кто медленный.
Там все видно на осциллографе. Закрывается за 3мс, открывается за 2мс.
Но так как при этом затвор транзистора коммутируется не 5 вольтами, а 12, то, по даташит, мы имеем выигрыш по току, если для IRL530, то от 2.5 до 50A. В 20 раз! Из чего следует, что нагрев MOSFET будет существенно меньшим. Примерно, раза в четыре.
Logik пишет:
А так "гальваноразвязка", ага при соединенных землях)).
Я понимаю, что тему уже на три страницы растянули, так что извиняться не надо. Я писал уже: "Землю объединять тут не зачем.". Просто для симуляции это не имело никакого значения.
Logik пишет:
У меня есть устройство в котором 4 мосфета на выводе регистра через 75Ом, работает ШИМ 365*24 уже много лет. Выводы регистра всегда открывают мосфеты одновременно ну а закрывают каждый как прийдется в ШИМ. Почему не сгорело?
А мы выше уже считали вероятность. Где-то лет через 85 сгорит с 50% вероятностью. Что не отменяет моего утверждения выше про то, что когда такую схему повторит 1000 посетителей этого форума, то данная схема будет гореть у одного из них каждые два месяца.
А какой резистор ты, исходя из своего опыта, рекомендуешь поставить между мк и затвором AO3402 (ёмкость затвора порядка 250 пФ, полный заряд при макс. напряжении питания (литиевый аккумулятор) 4,5 нКл) для работы с ШИМ частотой 500 кГц?
Полмегагерца? То есть между передним и задним фронтом, при 16МГц тактовой, будет от 62нс при максимальной скважности? Боюсь не получится. Для 10 вольт на затворе в даташит: Tun-On Delay Time 3.5 + Rise Time 1.5 + Turn-Off Delay Time 17.5 + Fall Time 2.5 = 25ns. То есть при 5 вольтах переходные процессы могут быть дольше в 4-5 раз. Не вписывается. Или управляйте им 10-12 вольтами.
Теперь про параметры импульса заряда затвора. Если грубо - считаем так Q=i*t: заряд затвора Q у вышеприведеного тр-ра 6нКл. Чтоб его зарядить-разрядить даже током 40мА надо 150нс при прямоугольном импульсе.
А почему у меня Multisim почти микросекунду показывает? Глючит?
Все, дошло. Это у вас ошибка. Ток заряда 40ма будет только в начале заряда, потом он будет падать, причем не линейно. Правильно считать время заряда надо как T=3RC (до 95%). Что и даст
Попробовал и я чего-то посчитать.
Слишком много допущений, конечно (потому что много неизвестных), но хоть что-то оценить, думаю, можно.
Взял я вот это вот значение длительности фронтов из datasheet на PIC — 15 нс — и нагло предположил, что значение напряжения на выходах меняется всё по той же экспоненциальной функции для RC-цепочки и что время 15 нс — это для 95%-ного скачка (т.е. 3⋅τ).
Исходя из этого предположения, разбил время на отдельные отрезки по 0,2 нс и просчитал напряжение на выходе МК к концу каждого отрезка.
После этого взял и приложил эти значения напряжений к разряженному затвору AO3402 и рассчитал напряжение в конце каждой ступеньки так, как будто на протяжении всей этой ступеньки на вход RC-цепочки приложено то напряжение, которое на самом деле действует лишь в конце её (допустимое упрощение, учитывая малую длительность ступенек).
Сопротивление я взял было сначала 10Ω (и считал тогда AO3400), но у меня вышел пиковый ток 200мА (правда, длительность импульса меньше 20 нс), к тому же 10Ω значение нереальное — наверняка даже у голого выхода без резистора сопротивление выше. Поэтому я взял другие значения: ёмкость 250 пФ (AO3402) и суммарное сопротивление (открытый транзистор выхода МК + внешний резистор) 40Ω. Питание — литиевый аккумулятор.
Вот что получилось. 95%-ный скачок происходит за 37 нс, к концу этого срока разница напряжений 5%, т.е. 0,2 В, ток, соответственно, 5 мА, и это уже полное открытие / закрытие, дальше, я думаю, можно не считать. Максимальная разница напряжений — 49%, т.е. 2 В, на этом пике ток вдвое превышает максимально допустимый для PIC постоянный ток (25 мА). Превышение сверх 25 мА в общей сложности длится 18 нс.
Если брать частоту полмегагерца, то выходит, что в каждом периоде длительностью 2 мкс каждый из транзисторов двухтактника на выходе МК перегружается выше допустимого на протяжении 18 нс, что составляет 0,9% от всего периода ШИМ.
Может ли такое короткое превышение (двукратное на пике) в течение меньше процента времени повредить транзисторы на выходе МК?
Теперь что касается скорости переключения.
95% в обе стороны — транзистор можно считать уже практически полностью открытым / закрытым, перегрева не будет (мне больше 2 А в этой схеме точно не нужно, а скорее всего и больше 1 А не понадобится). Значит, переходные процессы длятся 37 нс, в общей сложности 75 нс на каждый цикл. Это 3,8% цикла. Для тока 2 А и максимального напряжения на канале 0,8 В (напряжение аккумулятора минус падение напряжения на светодиоде) получаем рассеиваемую мощность 60 мВт! Что явно не приведёт к перегреву SOT23.
DC Current per I/O Pin . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40.0mA
DC Current VCC and GND Pins . . . . . . . . . . 200.0mA
Буквы DC вы незаметили или не поняли?
Да всё заметили. Просто лично мне не удалось найти импульсных нагрузочных характеристик атмеги, отчего я и не стал пускаться в голословные утверждения.
Вообще-же многие динамические характеристики полупроводниковых приборов -- тайна великая есть. В свое время в теме про драйверы моторов я пытался выяснить, какой ток можно кратковременно снять с ноги 74-ой серии (CMOS). В даташитах производители указывают в разделе "maximum ratings" ток в 25ма, но он там значится, как "continuous current", т.е. "в течении продолжительного времени". Это, кстати и корректнее и информативнее атмеговского "dc current", про который вообще не понятно, о каком времени речь. Касательно же 74-ой серии, после продолжительных поисков мне удалось в каком-то из апноутов TI обнаружить таки упоминание про импульсные токи на выходе логического элемента. В документе утверждалось, что выход может выдавать или принимать ток до 75ма в форме короткого импульса (значений длительности сейчас уже не вспомню). Итого, получается троекратное превышение относительно максимального рейтинга.
Еще в связи с импульсными токами ПП вспоминается книжка Ласло Балоша (Texas Instruments) о драйверах мосфетов на дискретных компонентах. Там автор делится своими наблюдениями о том, как транзистор 2n2222a выдает стабильно в импульсе ток в 2 ампера при 800ма максимального рейтинга по даташиту. Тоже почти троекратное превышение. Таким образом получается, что статические максимальные рейтинги и реальные динамические нагрузочные характеристики могут сильно отличаться.
Там автор делится своими наблюдениями о том, как транзистор 2n2222a выдает стабильно в импульсе ток в 2 ампера при 800ма максимального рейтинга по даташиту. Тоже почти троекратное превышение. Таким образом получается, что статические максимальные рейтинги и реальные динамические нагрузочные характеристики могут сильно отличаться.
А вот с этим осторожней, даже в одной партии кристаллы, расположенные в центре пластины и на краю ее сильно различаются по параметрам. Настолько сильно, что в военную приемку с краев даже отправляют. Так же после корпусировки добавляется еще разброс. Поэтому даже в одной партии максимальный ток двух кристаллов может отличаться. В 80-е годы, когда я еще учился в МИЭТ - в разы! Я уж не говорю о кристаллах из разных партий, а тем более выпущенных на разных заводах.
Поэтому результат тестирования одного кристалла вообще ни о чем не говорит.
С точки зрения производителя электроники, если выходят кристаллы из строя из-за превышения параметров, заявленных производителем электронных компонентов, то никакой рекламации вы ему уже предъявить не сможете. Все на ваш страх и риск. Поэтому, при проектировании, превышение параметров не допускалось ни под каким соусом.
Я не очень уверен, что ситуация почти сорокалетней давности с производством ПП советской промышленностью может иметь отношение к современным полупроводниковым производствам.
Я не очень уверен, что ситуация почти сорокалетней давности с производством ПП советской промышленностью может иметь отношение к современным полупроводниковым производствам.
А зря. Учите матчасть. Фокусировка в центре пластины всегда лучше, чем по краям. Оптики без аберрации не бывало и не бывает.
А потому уже, ряд производителей, маркируют буковками сзади, в зависимости от того, что получилось. А некоторые, особенно китайцы, себя не утруждают и гонят, что получилось )
А зря. Учите матчасть. Фокусировка в центре пластины всегда лучше, чем по краям. Оптики без аберрации не бывало и не бывает.
Интелу это расскажите. А то они совершенно об этом не в курсе и с дури затевают переход на 450-миллиметровые пластины при 7нм техпроцессе. Главное же -- эти подлецы многие годы похоже скрывают, что выход годных кристаллов драматически зависит от их положения относительно "краев".
Цитата:
А потому уже, ряд производителей, маркируют буковками сзади, в зависимости от того, что получилось.
И где, вы говорите, это можно посмотреть на чипах атмеги? Не пойму, вы в тех восьмидесятых так и застряли что-ли?
Интелу это расскажите. А то они совершенно об этом не в курсе и с дури затевают переход на 450-миллиметровые пластины при 7нм техпроцессе. Главное же -- эти подлецы многие годы похоже скрывают, что выход годных кристаллов драматически зависит от их положения относительно "краев".
А они в курсе, поэтому всегда выпускают целый ряд CPU с разными частотами и, даже, с разным количеством ядер и разным объемом кеша. Причем все они режутся с одной пластины. А уже по результатам тестирования, обычно даже, после корпусировки, маркируются. И в цене потом различаются в разы.
И где, вы говорите, это можно посмотреть на чипах атмеги? Не пойму, вы в тех восьмидесятых так и застряли что-ли?
Если бы AVR тестировали, отбраковывали и маркировали, в зависимости от результатов испытаний, то он стоил бы в разы дороже. Для кристаллов себестоимостью меньше доллара таким себя утруждают только в случае военных или космических заказов.
Это они вам сами сказали? Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
Вообще-же я говорил о другом. Если эти ваши "абберации" имеют такое большое значение, то увеличение диаметра пластины при одновременном снижении размеров техпроцесса, должно приводить не к увеличению выхода годных кристаллов, а, наоборот, к уменьшению. Пресловутые "края" оказываются дальше от центра, геометрические размеры "тоньше", т.ч. в соответствии с вашей "теорией" вообще один брак, маркированный специальными буквами, должен получаться. Ы ?
Это они вам сами сказали? Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
After the chips are bonded and packaged, final testing is done to determine both proper function and rated speed. Different chips in the same batch will often run at different speeds. Special test fixtures run each chip at different pressures, temperatures, and speeds, looking for the point at which the chip stops working. At this point, the maximum successful speed is noted and the final chips are sorted into bins with those that tested at a similar speed. For example, the Pentium III 750, 866, and 1000 are all exactly the same chip made using the same die. They were sorted at the end of the manufacturing cycle by speed.
Если эти ваши "абберации" имеют такое большое значение, то увеличение диаметра пластины при одновременном снижении размеров техпроцесса, должно приводить не к увеличению выхода годных кристаллов, а, наоборот, к уменьшению.
А при чем тут выход годных? Разброс по частотным характеристикам, да, будет выше при большем диаметре пластины. Это я указал. А про выход годных я вообще информацией не располагаю.
Это они вам сами сказали? Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
А вот и свежей пруф:
In this chapter we will learn the details of testing a IC during and after fabrication. We will also learn that some of the chips which are sold with different speeds such as 2.6 GHz or 2.8 GHz may come from the same wafer.
Я не пойму, нафига пихать сюда эту отфонарщину? Статья пятнадцатилетней (!) давности, написанная майкрософтовским блоггером и специалистом по восстановлению данных. Какое, в баню, отношение это имеет к современным технологическим процессам Интела? Абы что ляпнуть?
a5021 пишет:
Разброс по частотным характеристикам, да, будет выше при большем диаметре пластины.
Не подскажете, из чего это следует? Я тут полистал технологические книжки и они все в один голос утверждают, что выход годных клисталлов зависит исключительно от числа дефектов на единицу площади пластины. Похоже на заговор, но размер самой пластины отчего-то никем не учитывается и никак не рассматривается.
Получается совсем уж фигня: микросхемы, состоящие из миллионов транзисторов они умеют по краям пластины размещать, а вот одиночные транзисторы так выпускать и не научились?
Вы когда в следующий раз породите некую "матчасть" за своим авторством, то вместо страстных призывов ее изучать, лучше тщательно скрывайте свое изобретение. Это должно помочь вам избежать многих ненужных вам конфузов.
Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
Приходится писать здесь, так как не обнаружил здесь лички.
Детка, убедительная просьба вести себя здесь культурно и не хамить. Мне лично, твое хамство по фигу, я в жизни и не такого наслышался. А вот себе репутацию таким поведением ты здесь портишь очень эффективно.
Обрати внимание, что таким тоном я стал с тобой разговаривать после целого ряда оскорбительных фраз только в этой одной теме:
"уродство с гайками в виде IRF530 + драйвера"
"Чувствую, где-то там еще древние старички со старушками обретаются. Вот-вот тоже должны объявиться."
"Полная шиза."
"Бредовый бред в рафинированном виде."
"Безграмотный вопрос."
Вот на основании процитированного и возникло мое мнение о тебе, как о бескультурном и глупом ребенке, из-за чуства собстенной неполноценности и полной никчемности в реале, пытающемся самоутвердится в интернете.
Не стоит формировать такое же мнение и у остальных читателей форума.
Ниже я дал пруф существенно новее, опасаясь как раз того, что ты будешь к дате придираться )
a5021 пишет:
a5021 пишет:
Разброс по частотным характеристикам, да, будет выше при большем диаметре пластины.
Не подскажете, из чего это следует? Я тут полистал технологические книжки и они все в один голос утверждают, что выход годных клисталлов зависит исключительно от числа дефектов на единицу площади пластины. Похоже на заговор, но размер самой пластины отчего-то никем не учитывается и никак не рассматривается.
Ты читать умеешь? Где я хоть слово сказал про выход годных?
Ниже я дал пруф существенно новее, опасаясь как раз того, что ты будешь к дате придираться
Еще круче! О том, как организован технологический процесс в Интеле вы предлагаете судить по материалам индийского проекта в сфере образования? Сей неоспоримый "аргумент", действительно и крыть нечем.
Цитата:
Ты читать умеешь? Где я хоть слово сказал про выход годных?
А тут не надо быть семи пядей во лбу, чтобы свзать ваше ухудшение параметров транзисторов в зависимости от положения на пластие с выходом годных кристаллов по тому же признаку. Если одиночные транзисторы стремительно деградируют от центра к краям, то чего уж говорить про миллионы транзисторов в составе единой схемы?
Пруф про "двулучепреломление", он вообще о чем? Вопрос был про частотные характеристики, но вы опять отфонарщиной аппелируете. Что это, если не бред?
И всосите этот ваш моралин, который вы зачем-то тут взялись разливать в умопомрачительных количествах, к себе обратно. Не вам, который постоянно хамит, устраивает персональные наезды и опускается до прямых оскорблений, увещевать здесь о культурном общении. С себя начните и озаботьтесь собственной репутацией. Со своей репутацией я как-нибудь без вас разберусь.
Еще круче! О том, как организован технологический процесс в Интеле вы предлагаете судить по материалам индийского проекта в сфере образования? Сей неоспоримый "аргумент", действительно и крыть нечем.
Бедняга. Ты вправду думаешь, что большинство индусов, получивших это образование не на пиндосов работают. включая Intel? То есть ты поверишь, только если сам Intel публично признается, как у них происходит сортировка готовых кристаллов перед маркировкой? )))
Да и не верь, на фиг ты мне сдался? Для тех, кто читает эту тему и умеет мыслить, тут доказательств более чем достаточно.
a5021 пишет:
А тут не надо быть семи пядей во лбу, чтобы свзать ваше ухудшение параметров транзисторов в зависимости от положения на пластие с выходом годных кристаллов по тому же признаку. Если одиночные транзисторы стремительно деградируют от центра к краям, то чего уж говорить про миллионы транзисторов в составе единой схемы?
Ты уж извини, но транзисторы делают совсем не по таким же техпроцессам, как IC высокой степени интеграции. И никогда такого не было. Причем средства уменьшения оптических аберраций в фотолитографическом оборудовании для производства CPU не то что на порядки, на десяток порядок дороже, чем примененные для производства транзисторов. И если для приемлемого выхода годных транзисторов можно удовлетвориться X% искажений на краях пластины, то для изготовления CPU требуется уже хотя бы Y%, где Y на порядок или более меньше X. Как я уже писал выше, выходом годных я вообще никак не занимался, а только ради твоего удовлетворения искать значения X и Y мне откровенно в лом. )
a5021 пишет:
Пруф про "двулучепреломление", он вообще о чем? Вопрос был про частотные характеристики, но вы опять отфонарщиной аппелируете. Что это, если не бред?
Не бред, а научная работа, в которой приведен результат исследования, в том числе наглядно демонстрирующий, что оптические аберрации сильнее на краях пластины, а не в центре. Что и требовалось доказать )
a5021 пишет:
И всосите этот ваш моралин
Детка, не тебе мне указывать, что мне здесь писать, как и кому. Я позволил себе так общаться с тобой, только после пятого безответного оскорбления в мой адрес. Так что на что перся, на то и напоролся )
Бедняга. Ты вправду думаешь, что большинство индусов, получивших это образование не на пиндосов работают. включая Intel?
Точно-точно. Из безвестного индийского образовательного проекта прямиком в Интел. А потом скорее обратно, значит, чтобы свежими технологическими секретами поделиться. Ничего не имею против, если вам кажется это естественным.
Цитата:
То есть ты поверишь, только если сам Intel публично признается, как у них происходит сортировка готовых кристаллов перед маркировкой?
Именно так, а вовсе не с ваших фантазий и не цитат с индийских сайтов.
Цитата:
Не бред, а научная работа, в которой приведен результат исследования, в том числе наглядно демонстрирующий, что оптические аберрации сильнее на краях пластины, а не в центре. Что и требовалось доказать
Пока что удалось доказать, что это полная отфонарщина. В тексте вообще нет речи о каких-то пластинах или хотя бы полупроводниковом производстве. Описывается лишь характер и природа искажений, возникающих внутри некой оптической системы. Внутри, понимаете? Внутри, а не снаружи. Опять станете сетовать, если я обзову ваш аргумент полным бредом, прчием, сделаю это на совершенно законных основаниях ?
Цитата:
Детка, не тебе мне указывать, что мне здесь писать, как и кому.
Взаимно.
Цитата:
после пятого безответного оскорбления в мой адрес.
Врать не надо. Все-таки публичное место и все сказанное лежит прямо здесь же. Сами ваши высказывания я действительно оцениваю не очень лестно, но вот до оскорблений в ваш адрес персонально, еще ни разу не опустился, в отличие от вас.
Точно-точно. Из безвестного индийского образовательного проекта прямиком в Интел. А потом скорее обратно, значит, чтобы свежими технологическими секретами поделиться. Ничего не имею против, если вам кажется это естественным.
Товарищи, нет ли у вас мыслей по поводу моих расчётов (#124)?
О допущениях и о методике в целом…
Хотел просимулировать, но не нашел в Multisim ни AO3402, ни его аналогов, мне известных или найденных гуглом.
Про превышения параметров электронных компонентов я уже свое мнение озвучил. Отстаивать его буду, а вот навязывать кому-то не собираюсь.
Каким образом и не превышать параметры, и обеспечить быстрое открытие и закрытие MOSFET я уже Вам писал (двухтактник). Однотактный каскад тут так себе решение, так как он будет усиливать или зарядку, или разрядку затвора, но не оба процесса сразу. А уж следовать моему совету или нет, опять таки решать Вам.
Я, в отличии от некоторых, свое мнение не навязываю )
Какое отношение индийское представительство Интела имеет к малоизвестному индийскому образовательному интернет-проекту ? Вы с чего-то решили, что раз Интел имеет в Индии свой офис, то любой индус может вещать любую фигню от имени Интела?
Цитата:
Читать научись:
Или надо быть "семи пядей во лбу", чтобы понять, что оптическая микролитография есть основной технологический процесс при изготовлении пластины с IC?
Вы уверены, что цитируете текст, смысл которого сами понимаете ? Фраза "при создании оптики", описывает нюансы создания оптической системы, а не чего-либо еще. Уточнение "применяемой в микролитографии" дейстительно отсылает неопределенным образом к полпроводниковому производству, но это и вся связь с обсуждаемой здесь темой. Подчеркнутая же вам фраза насчет "годности образца" и вовсе вызывает недоумение. Под "образцом" тут имеется ввиду "материал линз", упоминавшийся абзацем выше и с какой стати вы решили, что это каким-то образом может свидетельствовать в вашу пользу -- загадка.
Цитата:
Не ври, я все пять безответных оскорблений выше процитировал )
Гы-гы. Что ж, разберем и этот бред по пунктам:
1) "уродство с гайками в виде IRF530 + драйвера"
Вам показалось, что это именно вас я назвал "уродством с гайками" ? Ну так расслабьтесь, ведь речь шла всего лишь о значительных габаритах IRF530 в сравнении с AO3400.
2) "Чувствую, где-то там еще древние старички со старушками обретаются. Вот-вот тоже должны объявиться."
И какое слово здесь вам показалось особенно оскорбительным? Эта фраза хоть и не лишена сарказма, но напрямую ваши персональные качества никак не затрагивает и к вам лично не относится.
3) "Полная шиза."
Фраза относилась к принципиальной схеме и вы прекрасно об этом знаете. Вы сами просили критиковать схему, что я и сделал. Попытка же теперь выдать мои оценки схемы за персональные оскорбления в ваш адрес -- есть реакция с вашей стороны не совсем адекватная.
4) "Бредовый бред в рафинированном виде."
И что, по вашему, здесь имеет отношение к вам лично, если я ни словом не упомянул в тексте вашу персону, но говорил о бессмысленности применения ставольтового мосфета и оптрона в схеме?
5) "Безграмотный вопрос."
А это ничего, что текст был адресован не вам, лежал в контексте моей беседы с другим участником обсуждения и касался конкретно его вопроса ? Зараппортовались вы в своих пустопорожних претензиях, дедушка. Галимую напраслину возводите, уже не отдавая себе отчета, похоже.
Итого, все пять претензий ни в какой степени не являются персональными оскорблениями, а большинство вообще не имеют отношения к вашей персоне. Ну и чего было говнище здесь по всему форуму разметывать, легкоранимый вы наш? Че порожняки-то гнать, будто никто не видит? Еще ему тут и вранье привиделось, при том, что сам туфту ввернуть ну очень большой любитель (см. п5 из вышеприведенного списка). Какое-то "держи вора!" получается.
Че, может лучше на ваши образцы светских манер и высокультурного поведения глянем? Мне бы может и насрать было, но раз вы заострили, не могу отказать вам в удовольствии. Итак, ваши слова, адресованные не куда-то в сторону, а мне лично:
Верно вы про себя сказали, что психически ненормальны -- приписывание мне слов, которые я никогда не произносил, с превращением их в персональное оскорбление.
Ничего разумного, кроме признания себя шизофреником в первом же своем посте, ты тут еще ни разу не написал -- ничем не неспровоцированное хамство и вранье насчет "признания". Тыкание, как образец высококультурной беседы, очевидно.
Не знаю, как у остальных, но у меня уже не осталость к такому демагогу, как ты, ни малейшей капли уважения
Детка, ты и впрямь настолько глуп, что не понял о чем я?
это не считая всяких мелочей, типа "Учи матчасть, детка" или "Детка, не тебе мне указывать".
Я обычно на такие вещи не обращаю внимания (это можно было наблюдать с начала беседы и до текущего момента), но когда само хамло начинает взывать к культуре речи и кивать на хорошие манеры, попутно густо преправляя сей бред высокой дозой моралина, ситуация становится настолько комичной, что пройти мимо просто не представляется возможным.
Дедушка, у вас ли не раздвоение личности, что в одном сообщении вы опускаетесь до прямых оскорблений, а уже в следующем взываете к культуре в общении? Как нибудь бы уже определились, что для вас важнее -- крестик или плавочки.
Верно вы про себя сказали, что психически ненормальны -- приписывание мне слов, которые я никогда не произносил, с превращением их в персональное оскорбление.
Ничего разумного, кроме признания себя шизофреником в первом же своем посте, ты тут еще ни разу не написал -- ничем не неспровоцированное хамство и вранье насчет "признания". Тыкание, как образец высококультурной беседы, очевидно.
Детка, случилось так, что я сначала, грешным делом, подумал, что твоя фраза "Шиза полная" сказана тобой о себе же. Как выяснилось, я был о тебе в тот момент слишком хорошего мнения. Я только потом допер, что это было оскорбление в мой адрес )
a5021 пишет:
Не знаю, как у остальных, но у меня уже не осталость к такому демагогу, как ты, ни малейшей капли уважения
Просто констатация факта, без всяких оскорблений. Уже после доброго десятка оскорблений с твоей стороны и в твоем же тоне )
a5021 пишет:
Детка, ты и впрямь настолько глуп, что не понял о чем я?
Ой, а что, ответ утвердительный? )))
a5021 пишет:
это не считая всяких мелочей, типа "Учи матчасть, детка" или "Детка, не тебе мне указывать".
А где тут оскорбление, детка? )))
Скоро уписаюсь тут от тебя со смеху )))
Я же уже написал: "На что перся, на то и напролося" )
Дедушка, у вас ли не раздвоение личности, что в одном сообщении вы опускаетесь до прямых оскорблений, а уже в следующем взываете к культуре в общении? Как нибудь бы уже определились, что для вас важнее -- крестик или плавочки.
Объясняю. Буду тебе возить носом по собственному дерьму, получая от этого удовольствие до тех пор, пока не перестанешь хамить. Вообще, здесь на форуме.
Для информации, тебе на будущее. Я не встречал в жизни еще ни одного предприятия, чтобы один сотрудник посмел в лицо сказать другому о его предложении, пусть даже дилетанском и не продуманном, "бред" или "шиза полная", не рискуя быть уволенным. Причина всегда найдется. Вполне законная )
Крайне интересной получается у нас беседа. Когда я конкретно и предметно говорю о том, что таймеры у меги не синхронизируются (факт хорошо известный тем, кто хоть немного знаком с этим МК), то это, по вашему мнению, догмы и демагогия. Зато когда вы начинаете плести про женщину 50-и лет за рулем, заявления Майкрософта и Оракла, отзывы автомобилей неназванными производителями, то это никакое не словоблудие, а железобетонные доказательства того, что таймеры у атмеги склонны к само-синхронизации? Вы в расчете на кого этот бред сюда выплескиваете?
Детка, ты и впрямь настолько глуп, что не понял о чем я? Или стремление доказать, что если ты считаешь, что такого быть не может, то значит его нет, тебе глаза пеленой закрыло? )))
Кроме дешевых наездов есть чего сказать?
А потом я стал читать эти аппноуты. И увидел, что они рекомендуют значительно меньшие сопротивления (раз этак в 5).
Стал думать, почему. Залез в datasheet и посмотрел на длительность фронтов переключений. Думаю, что в них дело, но не уверен…
В них, в них. Если бы для AVR было бы указано, что 40ма нагрузки на выход постоянные и 80ма, при пульсации со скважностью больше 10, то смело можно было бы 80ма на управление MOSFETом брать. Для многих транзисторов, кстати, это указывается.
Кроме дешевых наездов есть чего сказать?
Пусть тебя мама воспитывает, мне это не нужно. У меня свои внуки есть.
Ты же уперся рогом окончательно и бесповоротно: "Этого не может быть, потому что этого быть не может!".
Получишь пару раз в подобных ситуациях в жизни по лбу, больно и сильно - сам поумнеешь )
А вообще, насколько я понимаю, сама ардуина именно так и делает: инициализирует таймеры по очереди, либо когда ты вызываешь analogWrite, либо при старте.
Я уже писал выше. Если пользоваться Arduino IDE, а не Atmel Studio, то инициализация просходит в файле wiring.c фунцией init().
1. Расстояние по времени между запусками таймеров (всех трёх!!!) целое число раз укладывается в период ШИМа (это уже само по себе практически недостижимо).
Нет в AVR ничего, что запрещает это сделать. Более того, если погуглить, можно найти, что некоторые специально синхронизировали таймеры. Не для ШИМ, а для каких-то иных целей.
В таком и только таком случае мк получит очень короткие пики перегрузки 250 мА (с частотой ШИМа), разряжая на землю одовременно все шесть затворов. На плюс, однако, они никак не совпадут.
Во-первых, выше результат симуляции на multisim, который показывает токи до 600ма. Впрочем, это пик-пик, так что, если считать от нуля, то все же 300ма. Во-воторых, никто не запрещает использовать инверсный ШИМ. И держать в голове при программировании, что инвертировать нельзя совсем не кузяво )
Можешь представить, какова вероятность исполнения всех условий одновременно?
Представляю. Легко. Вероятность синхронизации двух таймеров 1/256. Трех - 1/65536. Будем считать, что только в одном случае из 10 разработчик пожелает отказаться от стандартной инициализации Arduino IDE или где-то в коде сам будет запускать/останавливать таймеры, переводя ШИМ порты в обычный 0 или 1.
Ну ладно, пусть даже в одном случае из 100. Общая вероятность события оказывает 1/6,553,600. Но это вероятность события в один произвольный, но фиксированный весьма малый промежуток времени. А вот вероятность возникновения этой ситуации для одного из 1000 МК в течении года будет уже близка к единице.
Вероятность синхронизации двух таймеров 1/256. Трех - 1/65536.
Обманул. Забыл, что у таймеров 0 и 1 общий прескалер, а вот у 2 ведь свой личный. Так что не 1/65536, а 1/16777216
Но на результат это мало повлияет, так как за год у 1000 МК количество периодов ШИМ будет ~1.5*10^13
Я исхожу из предположения, что ни в какой код не лезем и полностью полагаемся на ардуино.
То есть все три пары ШИМов работают на одной частоте, 16 МГц / 32768 = 488,28 Гц (точно не помню, но такого порядка).
Значит, между запуском всех таймеров должны проходить строго кратные этим 32768 (значению prescaler, короче) промежутки. Это же уйма времени! Что мк будет так долго делать?
Если запуск всех таймеров происходит в init(), то это вообще не реально.
И время работы тут ничего не изменит: частота же не плывёт, ибо все таймеры опираются на тактовую частоту. Так что смещение останется постоянным. И даже при каждом следующем запуске оно в таком случае будет тем же.
Если же запуск таймеров происходит при каждом analogWrite(), то событие возможно, но вероятность его будет 2⁻³º (=1/32768²). При запуске функции (ведущей к перезапуску таймеров) даже каждые 5 секунд (что нереально, конечно) нам потребуется в среднем 5 миллиардов секунд! Это 170 лет.
И это только вероятность первого из шести условий (и то только если analogWrite() сбрасывает таймеры)! А должны выполниться все шесть!
Если же запуск в analogWrite(), то вероятность есть, только времени нашей жизни нам явно не хватит на все 6 условий.
Но это неважно, поскольку частоту ардуино даёт всем троим одну. И вероятность задаётся не количеством циклов, а числом тактов на цикл ШИМ (общим для всех трёх).
Так мы же обсуждаем случай, когда это нежелательное явление случилось само по себе, а не когда его специально сделали.
Что значит "специально"? Программируя надо постоянно держать в голове такую особенность. Например, одной командой out DDRD, r20 можно ненароком создать передний фронт одновременно по трем каналам (если в r20 0xFF). Ну и таймеры могут использоваться в коде для разных целей, не только для ШИМ, что и может потребовать их инициализацию, остановку и запуск.
Откуда 1/256? При какой частоте?
Частота ни при чем. У таймеров 0 и 1 прескалер общий. То есть, если у этих таймеров совпадает prescaler settings, то различных моментов их запуска 256. Глава 17 в даташите.
Я исхожу из предположения, что ни в какой код не лезем и полностью полагаемся на ардуино.
Я не понимаю этой фразы. Ардуино не более чем МК на плате. Без кода он не способен вообще ни на что. Ну разве что еще bootloader есть, в который можно не лезть, но и это не факт. На Arduino Pro Mini его может и не быть.
Иными словами, не кодируя, заставить ардуину что-то делать просто невозможно )
Значит, между запуском всех таймеров должны проходить строго кратные этим 32768 (значению prescaler, короче) промежутки.
Совсем не строго. Таймер выполнит первый отчет по очередному фронту от прескалера, а не когда мы его запустим.
Это же уйма времени! Что мк будет так долго делать?
Например, перепрограммировать таймер, посылать что-то по ИК или обмениваться по SPI, а затем опять перепрограммировать таймер в режим генератора ШИМ.
Если запуск всех таймеров происходит в init(),
Я же выше написал. Если МК кроме управления ШИМ, например, еще по IR что-то посылает или по I2C общается, то перепрограммировать таймеры может потребоваться в ходе вполнения программы уже после выполнения init().
При запуске функции (ведущей к перезапуску таймеров) даже каждые 5 секунд (что нереально, конечно) нам потребуется в среднем 5 миллиардов секунд! Это 170 лет.
То есть, у 1000 посетителей этого форума, повторивших подобную схему, данная проблема будет возникать каждые два месяца )
Каждый перезапуск — новый шанс на синхронизацию. До следующего перезапуска таймера ничего измениться не может, сколько тут ни ШИМь.
Хорошо, пусть перезапуск происходит раз в минуту. Вместо 10^13 получим 10^9. Все равно на два порядка больше, чем 10^7
Я ведь не даю схеме эмоциальных оценок, как a5021. Я не утверждаю, что она плохая, что это схема "шиза", "бред", или что у ее автора "утлые представления". Я просто указываю на то, что существует ненулевая вероятность выхода их строя МК при применении этой схемы на шести каналах. На трех каналах этой проблемы уже не возникает. То есть, если говорить только о приведенной схеме для трех каналов - она вполне рабочая и к ней нет претензий.
Кстати, как то проскочили, что в заголовке схемы речь о токе до 3А, а данная схема до 2.5А. Исключительно по даташиту на IRL530
Но с другой стороны, это даже лучше для нас!
Ведь даже если analogWrite меняет значения таймеров, — вряд ли он обнуляет prescaler’ы. А значит, если два prescaler’а (от t0 с t1 и от t2) не синхронизировались при инициализации (а для этого таки нужно, чтобы прошёл полный перод одного prescaler’а перед запуском второго, а это очень много времени в масштабах мк), то они не синхронизируются никогда, и максимум, что у нас есть шанс получить (тоже с весьма низкой вероятностью), — одновременный фронт по четырём каналам, а это безопасно.
Представил себе 1000 посетителей форума, повторяющих подобную схему :)
Но вообще-то, конечно, надо исходить из реальной задачи, а не пытаться скомпоновать из всех вариантов одно нереальное сочетание.
Если мы активно лезем в программирование портов, синхронизиуем таймеры и т.п. — то тогда действительно есть смысл принять дополнительные меры. Совсем несложные!
Четыре варианта навскидку:
1. Ограничиться 30 мА на канал вместо 40 (подобрав подходящий транзистор).
2. Взять дополнительную миньку (≈$1.30), которую использовать только на 2–4 канала ШИМ.
3. Выделить отдельную миньку для всех ШИМов (но за неё мы будем уверены, что там не синхронизируется).
4. Скинуть часть каналов на выделенный дешёвый мк (некоторые pic с четырьмя 10-битными каналами стоят меньше полудоллара).
Правда, последний вариант вряд ли имеет смысл только для решения проблемы синхронизации. Потому что у pic, в отличие от avr, всего 25 мА на канал, а 6×25 мА мы и с меги без проблем получим. Вот если нам в любом случае надо добавить каналов или если нам не хватает 8 бит (мне действительно не хватает), тогда есть смысл.
Вот я в своём контроллере освещения (который ещё не собрал, пока только разводку нарисовал) собираюсь использовать одновременно ардуино для интерфейса и pic16f1935 для собственно управления светом (ШИМ и переключение каналов, их там больше двух десятков: всякие разные цветные, RGBW, COB разной цветовой температуры). Да ещё и 74HC595 к тому же. И три оптопары там есть, потому что переключать каналы мне надо в верхнем плече, и чтобы туда дотянуться, нужно поставить переключатели землёй на плюс светодиодных драйверов. Светодиоды оптопар подключены к МК, а фототранзисторы оптопар управляют тремя входами 74HC595:
Если мы активно лезем в программирование портов, синхронизиуем таймеры и т.п. — то тогда действительно есть смысл принять дополнительные меры. Совсем несложные!
Четыре варианта навскидку:
1. Ограничиться 30 мА на канал вместо 40 (подобрав подходящий транзистор).
2. Взять дополнительную миньку (≈$1.30), которую использовать только на 2–4 канала ШИМ.
3. Выделить отдельную миньку для всех ШИМов (но за неё мы будем уверены, что там не синхронизируется).
4. Скинуть часть каналов на выделенный дешёвый мк (некоторые pic с четырьмя 10-битными каналами стоят меньше полудоллара).
Первый вариант приемлем, но ценой затягивания фронтов на MOSFET и его большим нагревом. То есть, хотя бы к аллюминиевому уголку их прикрутить нужно будет. Остальные варианты существенно дороже того, что я уже в этой теме выкладывал и эмулировал в Multisim. Если не хотите делать гальваническую развязку, то просто выкиньте оттуда оптроны. Они там все равно с КУ 1 включены и усилительных функций не выполняют. А комплементарная пара маломощных транзисторов для двухтактного усилителя у меня получилась меньше, чем за полтора рубля. И все. Зато всего по 2-3ма с каждого вывода МК, что позволяет не задумываясь вообще грузить остальные выводы, если сие потребуется.
И, кстати, раскачивая MOSFET 12 вольтами, вместо 5 мы можем использовать более дешевые IRF530 по 16 рублей/штука, вместо IRL530 по 25 рублей/штука, и коммутировать при этом 10А, вместо 2.5А
То есть два дополнительных резистора (60 коп) и два транзистора (1 руб 40 коп), итого 2 рубля, удешевляют стоимость одного канала на 7 рублей )
Потому я, на радостях, и добавил оптрон за 1 руб 20 коп )
Как альтернатива IRL530 рассматривался IRLZ44, так как он подходит, но стоит 22 рубля. Но и с ним выигрыш составляет от 4 рублей без оптрона до почти трех - с оптроном.
А можно и AO3402. Условия задачи тянут (3 А при 4,5 В на затворе), ёмкость затвора в два с лишним раза меньше, чем у AO3400 и IRF530, цена значительно ниже (2-3 цента штука). И не нужно ничего лишнего!
А этих двухтактников я побаиваюсь.
Але, спорщики, оперирующие даташитами и об виняющие друг друга в неграмотности. Для вас цитата из Absolute Maximum Ratings*
вот
Буквы DC вы незаметили или не поняли?
Это ограничение по постоянному току. К импульсному току заряда затвора отношения не имет никакого вообще. Ограничение максимального DC чисто тепловое, вызваное необходимостью постоянно рассеивать тепло от потерь в открытых ключах. Если нет проблем с теплом любой мосфет, и тот что в МК тоже, легко выдерживает многократное и иногда даже многодесяткократное превышение. Пример - тот же AO3400
Continuous Drain Current 5.8A 4.9A TA=25°C TA=70°C
Pulsed Drain Current C C 30A
Кратность 5-6 раз, чем хуже охлаждение тем больше кратность будет. Ограничение импульсного тока имеет не тепловую природу (деградация структуры при высоких плотностя тока, электродифузия, лавинный пробой и др.)
Теперь про параметры импульса заряда затвора. Если грубо - считаем так Q=i*t: заряд затвора Q у вышеприведеного тр-ра 6нКл. Чтоб его зарядить-разрядить даже током 40мА надо 150нс при прямоугольном импульсе. Можете сравнить с параметрами оптопары шо выше приводились - сразу увидите кто медленный. Точно посчитать тут не получится запросто - фронт затянут, сопротивление канала ключа в МК не известно, емкости и индуктивности монтажа неизвестны, не напрягайтесь считать, потому эмули схем - сразу в топку. Но эти неизвестные только замедлят заряд и соответственно снизят ток. Очевидно что затяжка процесса снижает требуемый ток даже лучше чем резистор.
Если ключ действительно мощный, от 100А допустим, то цифры ростут сильно и быстро, там нужен драйвер для их обеспечения. Здесь - нет. Опять же оптрон как в предлагаемой схеме здесь вообще не причем, только проблемы добавит. Был бы драйвер на 2-3 транзиках, ну ладно еще перестраховался. А так "гальваноразвязка", ага при соединенных землях)).
Как вывод:
1. По расчетам токов - сливайте, воду, не туда пошли, любительскими методами не решается.
2. Подключение мосфетов по простой схеме не нарушает известныых параметров МК, а неизвестные - неизвестны.
3. Практика показывает приминимость простой схемы. И моя практика и многих остальных на протяжении многих лет.
ПС. По совпадению моментов переключения - ну параноики могут принять програмные меры)) У меня есть устройство в котором 4 мосфета на выводе регистра через 75Ом, работает ШИМ 365*24 уже много лет. Выводы регистра всегда открывают мосфеты одновременно ну а закрывают каждый как прийдется в ШИМ. Почему не сгорело?
, но ценой затягивания фронтов на MOSFET и его большим нагревом.
Это как раз про оптрон с его десятками мксек.
А можно и AO3402.
А этих двухтактников я побаиваюсь.
Знаю но очень не люблю SOT, SMD и прочие корпуса, которые ни к обычной макетке, ни, тем более, к breadboard не прицепить. А самостоятельно травить платы мне и некогда, и не хочется.
Двухтактники уже полвека активно используются не только в серийной аппаратуре, но и в военной и космической. Включая выходы МК ардуино )
Кстати, ptr, SOT23 можно прилепить к макетке. Я делал это не раз, те же AO3400. Цепляй по диагонали.
Logik, вот, я так и предполагал (сам не проверил), что 200 мА относятся к постоянному току, так что все мои выкладки про невероятную синхронизацию чисто теоретические, даже если она произойдёт и зафиксируется, при таких частотах средний ток будет ничтожным, а короткие пульсы не составят проблему.
А какой резистор ты, исходя из своего опыта, рекомендуешь поставить между мк и затвором AO3402 (ёмкость затвора порядка 250 пФ, полный заряд при макс. напряжении питания (литиевый аккумулятор) 4,5 нКл) для работы с ШИМ частотой 500 кГц?
Буквы DC вы незаметили или не поняли?
Это ограничение по постоянному току. К импульсному току заряда затвора отношения не имет никакого вообще.
Continuous Drain Current 5.8A 4.9A TA=25°C TA=70°C
Pulsed Drain Current C C 30A
Внимательно читаем то что, вы сами написали. DC = Drain Current. Как же тогда понимать фразу "Pulsed Drain Current"?
Теперь про параметры импульса заряда затвора. Если грубо - считаем так Q=i*t: заряд затвора Q у вышеприведеного тр-ра 6нКл. Чтоб его зарядить-разрядить даже током 40мА надо 150нс при прямоугольном импульсе.
А почему у меня Multisim почти микросекунду показывает? Глючит?
А если увеличить резистор до 150Ом, как тут уже предлагали, вообще больше микросекунды получиться.
Можете сравнить с параметрами оптопары шо выше приводились - сразу увидите кто медленный.
Там все видно на осциллографе. Закрывается за 3мс, открывается за 2мс.
Но так как при этом затвор транзистора коммутируется не 5 вольтами, а 12, то, по даташит, мы имеем выигрыш по току, если для IRL530, то от 2.5 до 50A. В 20 раз! Из чего следует, что нагрев MOSFET будет существенно меньшим. Примерно, раза в четыре.
А так "гальваноразвязка", ага при соединенных землях)).
Я понимаю, что тему уже на три страницы растянули, так что извиняться не надо. Я писал уже: "Землю объединять тут не зачем.". Просто для симуляции это не имело никакого значения.
У меня есть устройство в котором 4 мосфета на выводе регистра через 75Ом, работает ШИМ 365*24 уже много лет. Выводы регистра всегда открывают мосфеты одновременно ну а закрывают каждый как прийдется в ШИМ. Почему не сгорело?
А мы выше уже считали вероятность. Где-то лет через 85 сгорит с 50% вероятностью. Что не отменяет моего утверждения выше про то, что когда такую схему повторит 1000 посетителей этого форума, то данная схема будет гореть у одного из них каждые два месяца.
Кстати, ptr, SOT23 можно прилепить к макетке. Я делал это не раз, те же AO3400. Цепляй по диагонали.
Сфоткай, пожалуйста!
А какой резистор ты, исходя из своего опыта, рекомендуешь поставить между мк и затвором AO3402 (ёмкость затвора порядка 250 пФ, полный заряд при макс. напряжении питания (литиевый аккумулятор) 4,5 нКл) для работы с ШИМ частотой 500 кГц?
Полмегагерца? То есть между передним и задним фронтом, при 16МГц тактовой, будет от 62нс при максимальной скважности? Боюсь не получится. Для 10 вольт на затворе в даташит: Tun-On Delay Time 3.5 + Rise Time 1.5 + Turn-Off Delay Time 17.5 + Fall Time 2.5 = 25ns. То есть при 5 вольтах переходные процессы могут быть дольше в 4-5 раз. Не вписывается. Или управляйте им 10-12 вольтами.
Теперь про параметры импульса заряда затвора. Если грубо - считаем так Q=i*t: заряд затвора Q у вышеприведеного тр-ра 6нКл. Чтоб его зарядить-разрядить даже током 40мА надо 150нс при прямоугольном импульсе.
А почему у меня Multisim почти микросекунду показывает? Глючит?
Все, дошло. Это у вас ошибка. Ток заряда 40ма будет только в начале заряда, потом он будет падать, причем не линейно. Правильно считать время заряда надо как T=3RC (до 95%). Что и даст
3*100*2200pF=100*6.6*10^-9=7*10^-7~700нс,
что вполне согласуется с показаниями Multisim.
Попробовал и я чего-то посчитать.
Слишком много допущений, конечно (потому что много неизвестных), но хоть что-то оценить, думаю, можно.
Взял я вот это вот значение длительности фронтов из datasheet на PIC — 15 нс — и нагло предположил, что значение напряжения на выходах меняется всё по той же экспоненциальной функции для RC-цепочки и что время 15 нс — это для 95%-ного скачка (т.е. 3⋅τ).
Исходя из этого предположения, разбил время на отдельные отрезки по 0,2 нс и просчитал напряжение на выходе МК к концу каждого отрезка.
После этого взял и приложил эти значения напряжений к разряженному затвору AO3402 и рассчитал напряжение в конце каждой ступеньки так, как будто на протяжении всей этой ступеньки на вход RC-цепочки приложено то напряжение, которое на самом деле действует лишь в конце её (допустимое упрощение, учитывая малую длительность ступенек).
Сопротивление я взял было сначала 10Ω (и считал тогда AO3400), но у меня вышел пиковый ток 200мА (правда, длительность импульса меньше 20 нс), к тому же 10Ω значение нереальное — наверняка даже у голого выхода без резистора сопротивление выше. Поэтому я взял другие значения: ёмкость 250 пФ (AO3402) и суммарное сопротивление (открытый транзистор выхода МК + внешний резистор) 40Ω. Питание — литиевый аккумулятор.
Вот что получилось. 95%-ный скачок происходит за 37 нс, к концу этого срока разница напряжений 5%, т.е. 0,2 В, ток, соответственно, 5 мА, и это уже полное открытие / закрытие, дальше, я думаю, можно не считать. Максимальная разница напряжений — 49%, т.е. 2 В, на этом пике ток вдвое превышает максимально допустимый для PIC постоянный ток (25 мА). Превышение сверх 25 мА в общей сложности длится 18 нс.
Если брать частоту полмегагерца, то выходит, что в каждом периоде длительностью 2 мкс каждый из транзисторов двухтактника на выходе МК перегружается выше допустимого на протяжении 18 нс, что составляет 0,9% от всего периода ШИМ.
Может ли такое короткое превышение (двукратное на пике) в течение меньше процента времени повредить транзисторы на выходе МК?
Теперь что касается скорости переключения.
95% в обе стороны — транзистор можно считать уже практически полностью открытым / закрытым, перегрева не будет (мне больше 2 А в этой схеме точно не нужно, а скорее всего и больше 1 А не понадобится). Значит, переходные процессы длятся 37 нс, в общей сложности 75 нс на каждый цикл. Это 3,8% цикла. Для тока 2 А и максимального напряжения на канале 0,8 В (напряжение аккумулятора минус падение напряжения на светодиоде) получаем рассеиваемую мощность 60 мВт! Что явно не приведёт к перегреву SOT23.
DC Current per I/O Pin . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40.0mA
Буквы DC вы незаметили или не поняли?
Да всё заметили. Просто лично мне не удалось найти импульсных нагрузочных характеристик атмеги, отчего я и не стал пускаться в голословные утверждения.
Вообще-же многие динамические характеристики полупроводниковых приборов -- тайна великая есть. В свое время в теме про драйверы моторов я пытался выяснить, какой ток можно кратковременно снять с ноги 74-ой серии (CMOS). В даташитах производители указывают в разделе "maximum ratings" ток в 25ма, но он там значится, как "continuous current", т.е. "в течении продолжительного времени". Это, кстати и корректнее и информативнее атмеговского "dc current", про который вообще не понятно, о каком времени речь. Касательно же 74-ой серии, после продолжительных поисков мне удалось в каком-то из апноутов TI обнаружить таки упоминание про импульсные токи на выходе логического элемента. В документе утверждалось, что выход может выдавать или принимать ток до 75ма в форме короткого импульса (значений длительности сейчас уже не вспомню). Итого, получается троекратное превышение относительно максимального рейтинга.
Еще в связи с импульсными токами ПП вспоминается книжка Ласло Балоша (Texas Instruments) о драйверах мосфетов на дискретных компонентах. Там автор делится своими наблюдениями о том, как транзистор 2n2222a выдает стабильно в импульсе ток в 2 ампера при 800ма максимального рейтинга по даташиту. Тоже почти троекратное превышение. Таким образом получается, что статические максимальные рейтинги и реальные динамические нагрузочные характеристики могут сильно отличаться.
Там автор делится своими наблюдениями о том, как транзистор 2n2222a выдает стабильно в импульсе ток в 2 ампера при 800ма максимального рейтинга по даташиту. Тоже почти троекратное превышение. Таким образом получается, что статические максимальные рейтинги и реальные динамические нагрузочные характеристики могут сильно отличаться.
А вот с этим осторожней, даже в одной партии кристаллы, расположенные в центре пластины и на краю ее сильно различаются по параметрам. Настолько сильно, что в военную приемку с краев даже отправляют. Так же после корпусировки добавляется еще разброс. Поэтому даже в одной партии максимальный ток двух кристаллов может отличаться. В 80-е годы, когда я еще учился в МИЭТ - в разы! Я уж не говорю о кристаллах из разных партий, а тем более выпущенных на разных заводах.
Поэтому результат тестирования одного кристалла вообще ни о чем не говорит.
С точки зрения производителя электроники, если выходят кристаллы из строя из-за превышения параметров, заявленных производителем электронных компонентов, то никакой рекламации вы ему уже предъявить не сможете. Все на ваш страх и риск. Поэтому, при проектировании, превышение параметров не допускалось ни под каким соусом.
Что интересно, ардуино, относительно Intel 8051 тех времен, недалеко ушла. По сравнению с Intel 8086 и современным i7 )
Впрочем, в те времена я 8051 почти не программировал. В основном на Z80 ассемблером.
Я не очень уверен, что ситуация почти сорокалетней давности с производством ПП советской промышленностью может иметь отношение к современным полупроводниковым производствам.
Я не очень уверен, что ситуация почти сорокалетней давности с производством ПП советской промышленностью может иметь отношение к современным полупроводниковым производствам.
А зря. Учите матчасть. Фокусировка в центре пластины всегда лучше, чем по краям. Оптики без аберрации не бывало и не бывает.
А потому уже, ряд производителей, маркируют буковками сзади, в зависимости от того, что получилось. А некоторые, особенно китайцы, себя не утруждают и гонят, что получилось )
Интелу это расскажите. А то они совершенно об этом не в курсе и с дури затевают переход на 450-миллиметровые пластины при 7нм техпроцессе. Главное же -- эти подлецы многие годы похоже скрывают, что выход годных кристаллов драматически зависит от их положения относительно "краев".
И где, вы говорите, это можно посмотреть на чипах атмеги? Не пойму, вы в тех восьмидесятых так и застряли что-ли?
Интелу это расскажите. А то они совершенно об этом не в курсе и с дури затевают переход на 450-миллиметровые пластины при 7нм техпроцессе. Главное же -- эти подлецы многие годы похоже скрывают, что выход годных кристаллов драматически зависит от их положения относительно "краев".
А они в курсе, поэтому всегда выпускают целый ряд CPU с разными частотами и, даже, с разным количеством ядер и разным объемом кеша. Причем все они режутся с одной пластины. А уже по результатам тестирования, обычно даже, после корпусировки, маркируются. И в цене потом различаются в разы.
И где, вы говорите, это можно посмотреть на чипах атмеги? Не пойму, вы в тех восьмидесятых так и застряли что-ли?
Если бы AVR тестировали, отбраковывали и маркировали, в зависимости от результатов испытаний, то он стоил бы в разы дороже. Для кристаллов себестоимостью меньше доллара таким себя утруждают только в случае военных или космических заказов.
Это они вам сами сказали? Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
Вообще-же я говорил о другом. Если эти ваши "абберации" имеют такое большое значение, то увеличение диаметра пластины при одновременном снижении размеров техпроцесса, должно приводить не к увеличению выхода годных кристаллов, а, наоборот, к уменьшению. Пресловутые "края" оказываются дальше от центра, геометрические размеры "тоньше", т.ч. в соответствии с вашей "теорией" вообще один брак, маркированный специальными буквами, должен получаться. Ы ?
Это они вам сами сказали? Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
After the chips are bonded and packaged, final testing is done to determine both proper function and rated speed. Different chips in the same batch will often run at different speeds. Special test fixtures run each chip at different pressures, temperatures, and speeds, looking for the point at which the chip stops working. At this point, the maximum successful speed is noted and the final chips are sorted into bins with those that tested at a similar speed. For example, the Pentium III 750, 866, and 1000 are all exactly the same chip made using the same die. They were sorted at the end of the manufacturing cycle by speed.
http://www.informit.com/articles/article.aspx?p=130978&seqNum=12
Если эти ваши "абберации" имеют такое большое значение, то увеличение диаметра пластины при одновременном снижении размеров техпроцесса, должно приводить не к увеличению выхода годных кристаллов, а, наоборот, к уменьшению.
А при чем тут выход годных? Разброс по частотным характеристикам, да, будет выше при большем диаметре пластины. Это я указал. А про выход годных я вообще информацией не располагаю.
Это они вам сами сказали? Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
А вот и свежей пруф:
In this chapter we will learn the details of testing a IC during and after fabrication. We will also learn that some of the chips which are sold with different speeds such as 2.6 GHz or 2.8 GHz may come from the same wafer.
http://nptel.ac.in/courses/103106075/Courses/Lecture33.html
Я не пойму, нафига пихать сюда эту отфонарщину? Статья пятнадцатилетней (!) давности, написанная майкрософтовским блоггером и специалистом по восстановлению данных. Какое, в баню, отношение это имеет к современным технологическим процессам Интела? Абы что ляпнуть?
Не подскажете, из чего это следует? Я тут полистал технологические книжки и они все в один голос утверждают, что выход годных клисталлов зависит исключительно от числа дефектов на единицу площади пластины. Похоже на заговор, но размер самой пластины отчего-то никем не учитывается и никак не рассматривается.
Получается совсем уж фигня: микросхемы, состоящие из миллионов транзисторов они умеют по краям пластины размещать, а вот одиночные транзисторы так выпускать и не научились?
Вы когда в следующий раз породите некую "матчасть" за своим авторством, то вместо страстных призывов ее изучать, лучше тщательно скрывайте свое изобретение. Это должно помочь вам избежать многих ненужных вам конфузов.
Зачем вы сочиняете то, о чем не имеете ни малейшего представления?
Приходится писать здесь, так как не обнаружил здесь лички.
Детка, убедительная просьба вести себя здесь культурно и не хамить. Мне лично, твое хамство по фигу, я в жизни и не такого наслышался. А вот себе репутацию таким поведением ты здесь портишь очень эффективно.
Обрати внимание, что таким тоном я стал с тобой разговаривать после целого ряда оскорбительных фраз только в этой одной теме:
"уродство с гайками в виде IRF530 + драйвера"
"Чувствую, где-то там еще древние старички со старушками обретаются. Вот-вот тоже должны объявиться."
"Полная шиза."
"Бредовый бред в рафинированном виде."
"Безграмотный вопрос."
Вот на основании процитированного и возникло мое мнение о тебе, как о бескультурном и глупом ребенке, из-за чуства собстенной неполноценности и полной никчемности в реале, пытающемся самоутвердится в интернете.
Не стоит формировать такое же мнение и у остальных читателей форума.
Статья пятнадцатилетней (!) давности
Ниже я дал пруф существенно новее, опасаясь как раз того, что ты будешь к дате придираться )
Не подскажете, из чего это следует? Я тут полистал технологические книжки и они все в один голос утверждают, что выход годных клисталлов зависит исключительно от числа дефектов на единицу площади пластины. Похоже на заговор, но размер самой пластины отчего-то никем не учитывается и никак не рассматривается.
Ты читать умеешь? Где я хоть слово сказал про выход годных?
Не подскажете, из чего это следует?
Пруф, специально 2015 года нашел.
http://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-vliyaniya-dvulucheprelomle...
Еще круче! О том, как организован технологический процесс в Интеле вы предлагаете судить по материалам индийского проекта в сфере образования? Сей неоспоримый "аргумент", действительно и крыть нечем.
А тут не надо быть семи пядей во лбу, чтобы свзать ваше ухудшение параметров транзисторов в зависимости от положения на пластие с выходом годных кристаллов по тому же признаку. Если одиночные транзисторы стремительно деградируют от центра к краям, то чего уж говорить про миллионы транзисторов в составе единой схемы?
Пруф про "двулучепреломление", он вообще о чем? Вопрос был про частотные характеристики, но вы опять отфонарщиной аппелируете. Что это, если не бред?
И всосите этот ваш моралин, который вы зачем-то тут взялись разливать в умопомрачительных количествах, к себе обратно. Не вам, который постоянно хамит, устраивает персональные наезды и опускается до прямых оскорблений, увещевать здесь о культурном общении. С себя начните и озаботьтесь собственной репутацией. Со своей репутацией я как-нибудь без вас разберусь.
Еще круче! О том, как организован технологический процесс в Интеле вы предлагаете судить по материалам индийского проекта в сфере образования? Сей неоспоримый "аргумент", действительно и крыть нечем.
Бедняга. Ты вправду думаешь, что большинство индусов, получивших это образование не на пиндосов работают. включая Intel? То есть ты поверишь, только если сам Intel публично признается, как у них происходит сортировка готовых кристаллов перед маркировкой? )))
Да и не верь, на фиг ты мне сдался? Для тех, кто читает эту тему и умеет мыслить, тут доказательств более чем достаточно.
А тут не надо быть семи пядей во лбу, чтобы свзать ваше ухудшение параметров транзисторов в зависимости от положения на пластие с выходом годных кристаллов по тому же признаку. Если одиночные транзисторы стремительно деградируют от центра к краям, то чего уж говорить про миллионы транзисторов в составе единой схемы?
Ты уж извини, но транзисторы делают совсем не по таким же техпроцессам, как IC высокой степени интеграции. И никогда такого не было. Причем средства уменьшения оптических аберраций в фотолитографическом оборудовании для производства CPU не то что на порядки, на десяток порядок дороже, чем примененные для производства транзисторов. И если для приемлемого выхода годных транзисторов можно удовлетвориться X% искажений на краях пластины, то для изготовления CPU требуется уже хотя бы Y%, где Y на порядок или более меньше X. Как я уже писал выше, выходом годных я вообще никак не занимался, а только ради твоего удовлетворения искать значения X и Y мне откровенно в лом. )
Пруф про "двулучепреломление", он вообще о чем? Вопрос был про частотные характеристики, но вы опять отфонарщиной аппелируете. Что это, если не бред?
Не бред, а научная работа, в которой приведен результат исследования, в том числе наглядно демонстрирующий, что оптические аберрации сильнее на краях пластины, а не в центре. Что и требовалось доказать )
И всосите этот ваш моралин
Детка, не тебе мне указывать, что мне здесь писать, как и кому. Я позволил себе так общаться с тобой, только после пятого безответного оскорбления в мой адрес. Так что на что перся, на то и напоролся )
Точно-точно. Из безвестного индийского образовательного проекта прямиком в Интел. А потом скорее обратно, значит, чтобы свежими технологическими секретами поделиться. Ничего не имею против, если вам кажется это естественным.
Именно так, а вовсе не с ваших фантазий и не цитат с индийских сайтов.
Пока что удалось доказать, что это полная отфонарщина. В тексте вообще нет речи о каких-то пластинах или хотя бы полупроводниковом производстве. Описывается лишь характер и природа искажений, возникающих внутри некой оптической системы. Внутри, понимаете? Внутри, а не снаружи. Опять станете сетовать, если я обзову ваш аргумент полным бредом, прчием, сделаю это на совершенно законных основаниях ?
Взаимно.
Врать не надо. Все-таки публичное место и все сказанное лежит прямо здесь же. Сами ваши высказывания я действительно оцениваю не очень лестно, но вот до оскорблений в ваш адрес персонально, еще ни разу не опустился, в отличие от вас.
Точно-точно. Из безвестного индийского образовательного проекта прямиком в Интел. А потом скорее обратно, значит, чтобы свежими технологическими секретами поделиться. Ничего не имею против, если вам кажется это естественным.
Прямо с сайта Intel, как ты настаивал ранее )
http://www.intel.com/content/www/us/en/jobs/locations/india.html
Может в следующий раз, чтобы не выставлять себя хамом и дилетантом хоть погуглишь? )
В тексте вообще нет речи о каких-то пластинах или хотя бы полупроводниковом производстве.
Читать научись:
Или надо быть "семи пядей во лбу", чтобы понять, что оптическая микролитография есть основной технологический процесс при изготовлении пластины с IC?
но вот до оскорблений в ваш адрес персонально, еще ни разу не опустился, в отличие от вас.
Не ври, я все пять безответных оскорблений выше процитировал )
Товарищи, нет ли у вас мыслей по поводу моих расчётов (#124)?
О допущениях и о методике в целом…
Товарищи, нет ли у вас мыслей по поводу моих расчётов (#124)?
О допущениях и о методике в целом…
Хотел просимулировать, но не нашел в Multisim ни AO3402, ни его аналогов, мне известных или найденных гуглом.
Про превышения параметров электронных компонентов я уже свое мнение озвучил. Отстаивать его буду, а вот навязывать кому-то не собираюсь.
Каким образом и не превышать параметры, и обеспечить быстрое открытие и закрытие MOSFET я уже Вам писал (двухтактник). Однотактный каскад тут так себе решение, так как он будет усиливать или зарядку, или разрядку затвора, но не оба процесса сразу. А уж следовать моему совету или нет, опять таки решать Вам.
Я, в отличии от некоторых, свое мнение не навязываю )
Какое отношение индийское представительство Интела имеет к малоизвестному индийскому образовательному интернет-проекту ? Вы с чего-то решили, что раз Интел имеет в Индии свой офис, то любой индус может вещать любую фигню от имени Интела?
Читать научись:
Или надо быть "семи пядей во лбу", чтобы понять, что оптическая микролитография есть основной технологический процесс при изготовлении пластины с IC?
Вы уверены, что цитируете текст, смысл которого сами понимаете ? Фраза "при создании оптики", описывает нюансы создания оптической системы, а не чего-либо еще. Уточнение "применяемой в микролитографии" дейстительно отсылает неопределенным образом к полпроводниковому производству, но это и вся связь с обсуждаемой здесь темой. Подчеркнутая же вам фраза насчет "годности образца" и вовсе вызывает недоумение. Под "образцом" тут имеется ввиду "материал линз", упоминавшийся абзацем выше и с какой стати вы решили, что это каким-то образом может свидетельствовать в вашу пользу -- загадка.
Гы-гы. Что ж, разберем и этот бред по пунктам:
1) "уродство с гайками в виде IRF530 + драйвера"
Вам показалось, что это именно вас я назвал "уродством с гайками" ? Ну так расслабьтесь, ведь речь шла всего лишь о значительных габаритах IRF530 в сравнении с AO3400.
2) "Чувствую, где-то там еще древние старички со старушками обретаются. Вот-вот тоже должны объявиться."
И какое слово здесь вам показалось особенно оскорбительным? Эта фраза хоть и не лишена сарказма, но напрямую ваши персональные качества никак не затрагивает и к вам лично не относится.
3) "Полная шиза."
Фраза относилась к принципиальной схеме и вы прекрасно об этом знаете. Вы сами просили критиковать схему, что я и сделал. Попытка же теперь выдать мои оценки схемы за персональные оскорбления в ваш адрес -- есть реакция с вашей стороны не совсем адекватная.
4) "Бредовый бред в рафинированном виде."
И что, по вашему, здесь имеет отношение к вам лично, если я ни словом не упомянул в тексте вашу персону, но говорил о бессмысленности применения ставольтового мосфета и оптрона в схеме?
5) "Безграмотный вопрос."
А это ничего, что текст был адресован не вам, лежал в контексте моей беседы с другим участником обсуждения и касался конкретно его вопроса ? Зараппортовались вы в своих пустопорожних претензиях, дедушка. Галимую напраслину возводите, уже не отдавая себе отчета, похоже.
Итого, все пять претензий ни в какой степени не являются персональными оскорблениями, а большинство вообще не имеют отношения к вашей персоне. Ну и чего было говнище здесь по всему форуму разметывать, легкоранимый вы наш? Че порожняки-то гнать, будто никто не видит? Еще ему тут и вранье привиделось, при том, что сам туфту ввернуть ну очень большой любитель (см. п5 из вышеприведенного списка). Какое-то "держи вора!" получается.
Че, может лучше на ваши образцы светских манер и высокультурного поведения глянем? Мне бы может и насрать было, но раз вы заострили, не могу отказать вам в удовольствии. Итак, ваши слова, адресованные не куда-то в сторону, а мне лично:
Верно вы про себя сказали, что психически ненормальны -- приписывание мне слов, которые я никогда не произносил, с превращением их в персональное оскорбление.
Ничего разумного, кроме признания себя шизофреником в первом же своем посте, ты тут еще ни разу не написал -- ничем не неспровоцированное хамство и вранье насчет "признания". Тыкание, как образец высококультурной беседы, очевидно.
Не знаю, как у остальных, но у меня уже не осталость к такому демагогу, как ты, ни малейшей капли уважения
Детка, ты и впрямь настолько глуп, что не понял о чем я?
это не считая всяких мелочей, типа "Учи матчасть, детка" или "Детка, не тебе мне указывать".
Я обычно на такие вещи не обращаю внимания (это можно было наблюдать с начала беседы и до текущего момента), но когда само хамло начинает взывать к культуре речи и кивать на хорошие манеры, попутно густо преправляя сей бред высокой дозой моралина, ситуация становится настолько комичной, что пройти мимо просто не представляется возможным.
Дедушка, у вас ли не раздвоение личности, что в одном сообщении вы опускаетесь до прямых оскорблений, а уже в следующем взываете к культуре в общении? Как нибудь бы уже определились, что для вас важнее -- крестик или плавочки.
Верно вы про себя сказали, что психически ненормальны -- приписывание мне слов, которые я никогда не произносил, с превращением их в персональное оскорбление.
Ничего разумного, кроме признания себя шизофреником в первом же своем посте, ты тут еще ни разу не написал -- ничем не неспровоцированное хамство и вранье насчет "признания". Тыкание, как образец высококультурной беседы, очевидно.
Детка, случилось так, что я сначала, грешным делом, подумал, что твоя фраза "Шиза полная" сказана тобой о себе же. Как выяснилось, я был о тебе в тот момент слишком хорошего мнения. Я только потом допер, что это было оскорбление в мой адрес )
Не знаю, как у остальных, но у меня уже не осталость к такому демагогу, как ты, ни малейшей капли уважения
Просто констатация факта, без всяких оскорблений. Уже после доброго десятка оскорблений с твоей стороны и в твоем же тоне )
Детка, ты и впрямь настолько глуп, что не понял о чем я?
Ой, а что, ответ утвердительный? )))
это не считая всяких мелочей, типа "Учи матчасть, детка" или "Детка, не тебе мне указывать".
А где тут оскорбление, детка? )))
Скоро уписаюсь тут от тебя со смеху )))
Я же уже написал: "На что перся, на то и напролося" )
Дедушка, у вас ли не раздвоение личности, что в одном сообщении вы опускаетесь до прямых оскорблений, а уже в следующем взываете к культуре в общении? Как нибудь бы уже определились, что для вас важнее -- крестик или плавочки.
Объясняю. Буду тебе возить носом по собственному дерьму, получая от этого удовольствие до тех пор, пока не перестанешь хамить. Вообще, здесь на форуме.
Гы-гы. Что ж, разберем и этот бред по пунктам:
Для информации, тебе на будущее. Я не встречал в жизни еще ни одного предприятия, чтобы один сотрудник посмел в лицо сказать другому о его предложении, пусть даже дилетанском и не продуманном, "бред" или "шиза полная", не рискуя быть уволенным. Причина всегда найдется. Вполне законная )