была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
В некоторых схемах реверсивное включение транзистора действительно мало что меняет. В конторе полгода схему собирали после замены транзисторы на другой с другой цоколевкой и все нормально работало.
Хочу обратить ваше внимание, Alex_Mn, что ОУ AD8001 из поста #69 это хреноварина с токовой обратной связью. т.е. совершенно отдельный класс усилителей и лучше его не привлекать к решению не свойственных ему задач.
Про "насыщение" - опять фигню пишите. Сами не понимаете и других в заблуждение вводите. Режим насыщения это не когда напряжение на коллекторе сравнивается с напряжением на базе. "Насыщение" - это вообще не об уровнях напряжения (напряжения могут быть любые)
Ну, вообще говоря, насыщение определяется именно через напряжение - когда (для pnp) напряжение на коллекторе выше, чем напряжение на базе.
Цитата:
Насыщение, это когда ток коллектора становится меньше или равно, чем ( Iб × h21э). Т.е. "насыщение" - это о токах....
Увы, попытка определить насыщение через токи обречена на провал вследствие того, что h21э не является константой. Т.е. при таком подходе нельзя выделить четкую границу между активным режимом и насыщением.
Так что, строго говоря, - да, транзистор работает в режиме насыщения. Но это не мешает ему на практике выполнять свои усилительные функции.
что считать усилительной функцией? В режиме насыщения ток коллектора не реагирует на изменения тока базы, так что усиления сигнала нет.
была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
мультиметра вполне достаточно для определения всех трёх выводов.
Хочу обратить ваше внимание, Alex_Mn, что ОУ AD8001 из поста #69 это хреноварина с токовой обратной связью. т.е. совершенно отдельный класс усилителей и лучше его не привлекать к решению не свойственных ему задач.
могу добавить хлеще. это эталон как не надо делать, ибо в этой схеме нет ваще здравого смысла. собирает усилитель и на источник с которого снимает сигнал подает сторонее питание. рабочая точка ваще хрен пойми где. входное сопротивление 27 ом. и не говорит что является источником сигнала. на выходе эммитерный повторитель хрен пойми для чего. которым сместил ближе к корпусу но урезал по шине питания. можно просто ОУ поставить Rail to rail по выходу. а еще лучше будет двух полярное питание. обе схемы в ветке есть.
была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
мультиметра вполне достаточно для определения всех трёх выводов.
хотелось бы ваше мнение услышать как их определять, а то я чето как то не научился определять. только по старинке по картинке.
Ну, вообще говоря, насыщение определяется именно через напряжение - когда (для pnp) напряжение на коллекторе выше, чем напряжение на базе.
опять фигню пишите.
Это типовое заблуждение малограмотных в схемотехнике.
Лучше приведите любое определение режима насыщения из любого учебника.
Там нигде не будет про условие сравнение напряжения на коллекторе и базе.
ЗЫ. При равенстве напряжения на коллекторе и базе транзистор продолжает работать в линейном режиме если Iк = ( Iб × h22э)
И входит в насыщение когда Iк < ( Iб × h22э)
при ЛЮБОМ напряжении на коллекторе относительно базы.
Про "насыщение" - опять фигню пишите. Сами не понимаете и других в заблуждение вводите. Режим насыщения это не когда напряжение на коллекторе сравнивается с напряжением на базе. "Насыщение" - это вообще не об уровнях напряжения (напряжения могут быть любые)
Ну, вообще говоря, насыщение определяется именно через напряжение - когда (для pnp) напряжение на коллекторе выше, чем напряжение на базе.
Цитата:
Насыщение, это когда ток коллектора становится меньше или равно, чем ( Iб × h21э). Т.е. "насыщение" - это о токах....
Увы, попытка определить насыщение через токи обречена на провал вследствие того, что h21э не является константой. Т.е. при таком подходе нельзя выделить четкую границу между активным режимом и насыщением.
Так что, строго говоря, - да, транзистор работает в режиме насыщения. Но это не мешает ему на практике выполнять свои усилительные функции.
что считать усилительной функцией? В режиме насыщения ток коллектора не реагирует на изменения тока базы, так что усиления сигнала нет.
усилительной функцией считается если по напряжению то Uвых/Uвх .
транзистор ток Iэ = Iб +Iк если имеем случай с большим h21э усиления ну допустим 500 можно просто для упращения приравнять Iэ=Iк то просто для понимания Ку=Uвых/Uвх=(Rк/I)/(Rэ/I)=Rк/Rэ
Ну, вообще говоря, насыщение определяется именно через напряжение - когда (для pnp) напряжение на коллекторе выше, чем напряжение на базе.
опять фигню пишите. Это типовое заблуждение малограмотных в схемотехнике. Лучше приведите любое определение режима насыщения из любого учебника. Там нигде не будет про условие сравнение напряжения на коллекторе и базе. ЗЫ. При равенстве напряжения на коллекторе и базе транзистор продолжает работать в линейном режиме если Iк = ( Iб × h22э) И входит в насыщение когда Iк < ( Iб × h22э) при ЛЮБОМ напряжении на коллекторе относительно базы.
так и не пишут потому что думают что ты грамотный и знаеш что напряжение между базой и эмитером 0.6в. и в справочнике пишут насыщение колектор эмитер. и насыщение колектор эмитер не может быть по определению меньше чем эмитер база. отсюда следует что на колекторе ну никак не может быть напряжение меньше чем на базе.
так и не пишут потому что думают что ты грамотный и знаеш что напряжение между базой и эмитером 0.6в. и в справочнике пишут насыщение колектор эмитер. и насыщение колектор эмитер не может быть по определению меньше чем эмитер база. отсюда следует что на колекторе ну никак не может быть напряжение меньше чем на базе.
типовой прием ограничения глубины насыщения это диод Шоттки из базы в коллектор.
т.е. в коллекторе напряжение действительно меньше при глубоком насыщении транзистора.
Но факт насыщения определяется токами, как выше у FAI4 формулы написаны.
так и не пишут потому что думают что ты грамотный и знаеш что напряжение между базой и эмитером 0.6в. и в справочнике пишут насыщение колектор эмитер. и насыщение колектор эмитер не может быть по определению меньше чем эмитер база. отсюда следует что на колекторе ну никак не может быть напряжение меньше чем на базе.
типовой прием ограничения глубины насыщения это диод Шоттки из базы в коллектор.
т.е. в коллекторе напряжение действительно меньше при глубоком насыщении транзистора.
Но факт насыщения определяется токами, как выше у FAI4 формулы написаны.
Большинство однополярных ОУ, которые работают от 0 вольт по входу (от -0,3 вольт) построены по аналогичной lm358 схеме (pnp на входе)
мерси просветил. а я то думал что насыщение КЭ не может быть меньше чем ЭБ, остюда и мыслил отрицательно смещение не может быть. вернее никогда не сталкивался по этому вопросу.
насыщение колектор эмитер не может быть по определению меньше чем эмитер база. отсюда следует что на колекторе ну никак не может быть напряжение меньше чем на базе.
усилительной функцией считается если по напряжению то Uвых/Uвх .
транзистор ток Iэ = Iб +Iк если имеем случай с большим h21э усиления ну допустим 500 можно просто для упращения приравнять Iэ=Iк то просто для понимания Ку=Uвых/Uвх=(Rк/I)/(Rэ/I)=Rк/Rэ
не надо сюда лепить формулы для линейного режима.
при переходе к режиму насыщения дальнейшее увеличение тока базы не приводит к увеличению тока коллектора. и в дальнейшем при увеличении коэффициента насыщения (в ключевом режиме) ток коллектора остается неизменным.
Формальный показатель h21э в этом режиме не рассматривается.
была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
мультиметра вполне достаточно для определения всех трёх выводов.
хотелось бы ваше мнение услышать как их определять, а то я чето как то не научился определять. только по старинке по картинке.
базу и проводимость определил - а дальше на эмиттерном переходе напряжение (или сопротивление) при прозвонке больше, чем на коллекторном.
Для npn транзистора: "напряжение на коллекторе ниже напряжение базы" - это необходимое условие для насыщения, НО не достаточное.
Т.е.:
1. При насыщении - напряжение на коллекторе ниже (базы)
2. В линейном режиме (без насыщения) - напряжение на коллекторе может быть любым (как выше так и ниже напряжения на базе)
Поэтому:
1. контролировать режим насыщения, измеряя напряжение на коллекторе относительно базы - это глупо и недостоверно.
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
Поймите разницу в обоих случаях.
ЗЫ. Блин, я был более высокого мнения о познаниях участников форума в электронике.
А здесь в основном поверхностные тинейджерские знания у большинства...
не блинкай, все уже давно поняли и обьяснили топикстартеру что надо делать. И уровень знания участников форума в электронике не вам оценивать. То что вы здесь пересказали азы из учебника, просто для многих давно забытое старое. Ни кто не опускается до этого уровня, потому как данное в голове по умолчанию на уровне интуиции.
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
И после этого Вы судите о познаниях других?
Pyotr, в чем тут вопрос? я про шоттку написал еще раньше.
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
И после этого Вы судите о познаниях других?
Pyotr, в чем тут вопрос? я про шоттку написал еще раньше.
Да, ВН, я видел. Шоттки предотвращает вхождение транзистора в насыщение, но не путем - "не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) ".
Шоттки не позволяет открыться коллекторному переходу. Можно также сказать, что шоттки вносит нелинейную ООС.
На К напряжение будет меньше чем на Б на величину падения напряжения на шоттки (примерно 0.1-0.4В), и это всегда больше, чем при отсутствии шоттки.
А можно взять транзистор с известной цоколевкой и потыкать.
Вот свежие результаты: э 0.724, к 0.702
транзистор кт361 (да! какой первый попался), прибор zt301.
тоже потыкал в общем тебе верить можно) правда на двух попавшихся не получилось проверить это кт805 и кт818 одинаково вышло. в общем выход из безвыходной ситуации вполне годный.
Да, ВН, я видел. Шоттки предотвращает вхождение транзистора в насыщение, но не путем - "не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) ".
Шоттки не позволяет открыться коллекторному переходу. Можно также сказать, что шоттки вносит нелинейную ООС.
На К напряжение будет меньше чем на Б на величину падения напряжения на шоттки (примерно 0.1-0.4В), и это всегда больше, чем при отсутствии шоттки.
Ясно, ясно.
Фиг знает до какой глубины детализации тут стоит писать, я тут давеча тоже покритиковал, а потом стер, бо пояснения требуют в свою очередь еще больших пояснений.
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
я как понял это и вобще не диод, а просто устройство действительно с нулевым падением. типа переключатель от какого питания питать нагрузку. типа реле но только гораздо быстрее и с ограничениями. в даташите описано.
ты ниже полистай там укрупненая схема, и там не диоды а мосфеты на переключения нагрузки используются. управляющий вход имеется и своя аналогия управления используются. на напряжения от 1.6 до 5.5 в и ток до 2.5 А
некий автоматический выбор источника. и все это в дежурном режиме очень мало жрет. идеально подойдет где используются батареи, и миниатюрное. в общем микросхема для конкретных нужд.
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
не то чтобы совсем нулевым, но 40-mΩ, 2.5-A в заголовке ссылки указано. Т.е. внутренний диод полевика шунтируется открытым каналом полевика при включении сего девайса.
А можно взять транзистор с известной цоколевкой и потыкать.
Вот свежие результаты: э 0.724, к 0.702
транзистор кт361 (да! какой первый попался), прибор zt301.
тоже потыкал в общем тебе верить можно) правда на двух попавшихся не получилось проверить это кт805 и кт818 одинаково вышло. в общем выход из безвыходной ситуации вполне годный.
А можно взять транзистор с известной цоколевкой и потыкать.
Вот свежие результаты: э 0.724, к 0.702
транзистор кт361 (да! какой первый попался), прибор zt301.
тоже потыкал в общем тебе верить можно) правда на двух попавшихся не получилось проверить это кт805 и кт818 одинаково вышло. в общем выход из безвыходной ситуации вполне годный.
Самому интересно стало :)
Нашел КТ805АМ, сделан IV - 83.
Эмиттер - 0.551, коллектор 0.540
у меня получилось разброс меньше
КТ805БМ
Э 0.5721, К 0.5714 тысячные доли на глаз плохо воспринимаются они плавают.
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
не то чтобы совсем нулевым, но 40-mΩ, 2.5-A в заголовке ссылки указано. Т.е. внутренний диод полевика шунтируется открытым каналом полевика при включении сего девайса.
из личного опыта:
была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
В некоторых схемах реверсивное включение транзистора действительно мало что меняет. В конторе полгода схему собирали после замены транзисторы на другой с другой цоколевкой и все нормально работало.
Хочу обратить ваше внимание, Alex_Mn, что ОУ AD8001 из поста #69 это хреноварина с токовой обратной связью. т.е. совершенно отдельный класс усилителей и лучше его не привлекать к решению не свойственных ему задач.
Ну, вообще говоря, насыщение определяется именно через напряжение - когда (для pnp) напряжение на коллекторе выше, чем напряжение на базе.
Увы, попытка определить насыщение через токи обречена на провал вследствие того, что h21э не является константой. Т.е. при таком подходе нельзя выделить четкую границу между активным режимом и насыщением.
Так что, строго говоря, - да, транзистор работает в режиме насыщения. Но это не мешает ему на практике выполнять свои усилительные функции.
из личного опыта:
была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
Хочу обратить ваше внимание, Alex_Mn, что ОУ AD8001 из поста #69 это хреноварина с токовой обратной связью. т.е. совершенно отдельный класс усилителей и лучше его не привлекать к решению не свойственных ему задач.
могу добавить хлеще. это эталон как не надо делать, ибо в этой схеме нет ваще здравого смысла. собирает усилитель и на источник с которого снимает сигнал подает сторонее питание. рабочая точка ваще хрен пойми где. входное сопротивление 27 ом. и не говорит что является источником сигнала. на выходе эммитерный повторитель хрен пойми для чего. которым сместил ближе к корпусу но урезал по шине питания. можно просто ОУ поставить Rail to rail по выходу. а еще лучше будет двух полярное питание. обе схемы в ветке есть.
из личного опыта:
была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
хотелось бы ваше мнение услышать как их определять, а то я чето как то не научился определять. только по старинке по картинке.
Это типовое заблуждение малограмотных в схемотехнике.
Лучше приведите любое определение режима насыщения из любого учебника.
Там нигде не будет про условие сравнение напряжения на коллекторе и базе.
ЗЫ. При равенстве напряжения на коллекторе и базе транзистор продолжает работать в линейном режиме если Iк = ( Iб × h22э)
И входит в насыщение когда Iк < ( Iб × h22э)
при ЛЮБОМ напряжении на коллекторе относительно базы.
Ну, вообще говоря, насыщение определяется именно через напряжение - когда (для pnp) напряжение на коллекторе выше, чем напряжение на базе.
Увы, попытка определить насыщение через токи обречена на провал вследствие того, что h21э не является константой. Т.е. при таком подходе нельзя выделить четкую границу между активным режимом и насыщением.
Так что, строго говоря, - да, транзистор работает в режиме насыщения. Но это не мешает ему на практике выполнять свои усилительные функции.
усилительной функцией считается если по напряжению то Uвых/Uвх .
транзистор ток Iэ = Iб +Iк если имеем случай с большим h21э усиления ну допустим 500 можно просто для упращения приравнять Iэ=Iк то просто для понимания Ку=Uвых/Uвх=(Rк/I)/(Rэ/I)=Rк/Rэ
так и не пишут потому что думают что ты грамотный и знаеш что напряжение между базой и эмитером 0.6в. и в справочнике пишут насыщение колектор эмитер. и насыщение колектор эмитер не может быть по определению меньше чем эмитер база. отсюда следует что на колекторе ну никак не может быть напряжение меньше чем на базе.
т.е. в коллекторе напряжение действительно меньше при глубоком насыщении транзистора.
Но факт насыщения определяется токами, как выше у FAI4 формулы написаны.
т.е. в коллекторе напряжение действительно меньше при глубоком насыщении транзистора.
Но факт насыщения определяется токами, как выше у FAI4 формулы написаны.
возможно век живи век учись.
Набросал схему уместного буферного усилителя.
!! Входной сигнал ОТРИЦАТЕЛЬНЫЙ относительно Общего.
Таким образом можно преобразовывать и более отрицательные напряжения (хоть -100 вольт)
здаюсь)) победил
Большинство однополярных ОУ, которые работают от 0 вольт по входу (от -0,3 вольт) построены по аналогичной lm358 схеме (pnp на входе)
Большинство однополярных ОУ, которые работают от 0 вольт по входу (от -0,3 вольт) построены по аналогичной lm358 схеме (pnp на входе)
мерси просветил. а я то думал что насыщение КЭ не может быть меньше чем ЭБ, остюда и мыслил отрицательно смещение не может быть. вернее никогда не сталкивался по этому вопросу.
Да я тоже немного был ошарашен, когда более опытный товарищ не просвятил как это работает.
насыщение колектор эмитер не может быть по определению меньше чем эмитер база. отсюда следует что на колекторе ну никак не может быть напряжение меньше чем на базе.
Остаточное напряжение (К-Э) у хороших транзисторов в ключевом режиме может составлять 0,3 и менее вольт.
Это так называемые "остатки")
усилительной функцией считается если по напряжению то Uвых/Uвх .
транзистор ток Iэ = Iб +Iк если имеем случай с большим h21э усиления ну допустим 500 можно просто для упращения приравнять Iэ=Iк то просто для понимания Ку=Uвых/Uвх=(Rк/I)/(Rэ/I)=Rк/Rэ
при переходе к режиму насыщения дальнейшее увеличение тока базы не приводит к увеличению тока коллектора. и в дальнейшем при увеличении коэффициента насыщения (в ключевом режиме) ток коллектора остается неизменным.
Формальный показатель h21э в этом режиме не рассматривается.
из личного опыта:
была нужда быстро заменить транзистор, из доступного было только мультиметр никакой справочной информации не было. прибором определил базу и проводимость, а коллектор и эммитер втыкал на угад. толи угадывал всегда, толи нет большой разницы между эммитером и коллектром.
хотелось бы ваше мнение услышать как их определять, а то я чето как то не научился определять. только по старинке по картинке.
В режиме насыщения ток коллектора не реагирует на изменения тока базы, так что усиления сигнала нет.
Есть идеализированные характеристики транзистора, а есть - реальные. Для классификации режимов обычно используются идеализированные.
Грубо говоря, есть:
Uбэ - напряжение на pn переходе,
Uнас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
Так вот, при работе в режиме насыщения Uнас < Uк < Uбэ некоторое усиление сигнала есть, а при Uк = Uнас усиления, естественно, нет.
Во избежание путаницы последний обычно называют режимом глубокого насыщения.
Уровень легирования (удельная проводимость) базы выше коллектора.
Поэтому прямое напряжение на диоде БЭ должно быть ниже чем у диода БК.
Более надёжным способом определения выводов Э или К является проверка напряжения пробоя "стабилитрона" БЭ и БК.
Напряжение "стабилитрона" БЭ обычно в пределах 5....8 вольт (здесь напряжения обычного тестера не хватит).
Поэтому в отсутствии под рукой стабилитрона, в схему вполне можно ставить транзистор с БЭ в обратном включении (например тот же КТ315)
Такое использование транзисторов встречается и в промышленных схемах
Напряжение "стабилитрона" БК гораздо выше и равно высоковольтности транзистора.
Это типовое заблуждение малограмотных в схемотехнике.
Лучше приведите любое определение режима насыщения из любого учебника.
Вот эта таблица - из Википедии:
на эмиттере,
базе,
коллекторе
(
перехода
база-эмиттер
для типа n-p-n
перехода
база-коллектор
для типа n-p-n
для типа n-p-n
активный режим
активный режим
Я, конечно, понимаю, что Википедия - не истина в последней инстанции, но в данном случае она как раз повторяет многие учебники.
базу и проводимость определил - а дальше на эмиттерном переходе напряжение (или сопротивление) при прозвонке больше, чем на коллекторном.
Поэтому прямое напряжение на диоде БЭ должно быть ниже чем у диода БК.
Так кому верить?
Для npn транзистора: "напряжение на коллекторе ниже напряжение базы" - это необходимое условие для насыщения, НО не достаточное.
Т.е.:
1. При насыщении - напряжение на коллекторе ниже (базы)
2. В линейном режиме (без насыщения) - напряжение на коллекторе может быть любым (как выше так и ниже напряжения на базе)
Поэтому:
1. контролировать режим насыщения, измеряя напряжение на коллекторе относительно базы - это глупо и недостоверно.
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
Поймите разницу в обоих случаях.
ЗЫ. Блин, я был более высокого мнения о познаниях участников форума в электронике.
А здесь в основном поверхностные тинейджерские знания у большинства...
не блинкай, все уже давно поняли и обьяснили топикстартеру что надо делать. И уровень знания участников форума в электронике не вам оценивать. То что вы здесь пересказали азы из учебника, просто для многих давно забытое старое. Ни кто не опускается до этого уровня, потому как данное в голове по умолчанию на уровне интуиции.
Те все такими "великими" стали уже ?
(Корона не жмет?)
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
И после этого Вы судите о познаниях других?
предлагаю не переходить на личности а обсуждать насущное. (это интересней, чем рассуждать у кого толше)
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
И после этого Вы судите о познаниях других?
Pyotr, в чем тут вопрос? я про шоттку написал еще раньше.
Работа дополнительного диода Шоттки - это уменьшение тока базы при приближении к насыщению
2. Предотвратить попадание транзистора в насыщение, не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) - это правильное решение.
И после этого Вы судите о познаниях других?
Pyotr, в чем тут вопрос? я про шоттку написал еще раньше.
Да, ВН, я видел. Шоттки предотвращает вхождение транзистора в насыщение, но не путем - "не позволяя напряжению на коллекторе опуститься ниже напряжения чем на базе (с помощью диода Шоттки) ".
Шоттки не позволяет открыться коллекторному переходу. Можно также сказать, что шоттки вносит нелинейную ООС.
На К напряжение будет меньше чем на Б на величину падения напряжения на шоттки (примерно 0.1-0.4В), и это всегда больше, чем при отсутствии шоттки.
базу и проводимость определил - а дальше на эмиттерном переходе напряжение (или сопротивление) при прозвонке больше, чем на коллекторном.
Поэтому прямое напряжение на диоде БЭ должно быть ниже чем у диода БК.
Так кому верить?
Можно теоретикам.
А можно взять транзистор с известной цоколевкой и потыкать.
Вот свежие результаты: э 0.724, к 0.702
транзистор кт361 (да! какой первый попался), прибор zt301.
Ещё раз:
Соотношение напряжений - это просто условия при которых диод начинает уменьшать ток базы.
Те напряжения - вообще не самоцель (избежания насыщения).
Опять идёт скатывается к ошибочному понимания насыщения (как порог напряжений К Б
либо "открытию диода БК")
Речь идёт только о соотношении токов
(точнее о наличии в токе базы "лишнего тока")
Этот "лишний ток базы" и определяет степень насыщения.
Напряжения здесь - вообще "по барабану"
Можно мне (я написал то, что помню много лет).
Можно теоретикам.
А можно взять транзистор с известной цоколевкой и потыкать.
Вот свежие результаты: э 0.724, к 0.702
транзистор кт361 (да! какой первый попался), прибор zt301.
тоже потыкал в общем тебе верить можно) правда на двух попавшихся не получилось проверить это кт805 и кт818 одинаково вышло. в общем выход из безвыходной ситуации вполне годный.
Шоттки не позволяет открыться коллекторному переходу. Можно также сказать, что шоттки вносит нелинейную ООС.
На К напряжение будет меньше чем на Б на величину падения напряжения на шоттки (примерно 0.1-0.4В), и это всегда больше, чем при отсутствии шоттки.
Фиг знает до какой глубины детализации тут стоит писать, я тут давеча тоже покритиковал, а потом стер, бо пояснения требуют в свою очередь еще больших пояснений.
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
я как понял это и вобще не диод, а просто устройство действительно с нулевым падением. типа переключатель от какого питания питать нагрузку. типа реле но только гораздо быстрее и с ограничениями. в даташите описано.
Ну, вроде в даташите диод-то нарисован, значит если это и переключатель, то, по крайней мере полупроводниковый.
Обычный переключатель типа реле у них вот такой, например, на 4 канала. Этот во все стороны проводит.
Ну, вроде в даташите диод-то нарисован, значит если это и переключатель, то, по крайней мере полупроводниковый.
Обычный переключатель типа реле у них вот такой, например, на 4 канала. Этот во все стороны проводит.
ты ниже полистай там укрупненая схема, и там не диоды а мосфеты на переключения нагрузки используются. управляющий вход имеется и своя аналогия управления используются. на напряжения от 1.6 до 5.5 в и ток до 2.5 А
некий автоматический выбор источника. и все это в дежурном режиме очень мало жрет. идеально подойдет где используются батареи, и миниатюрное. в общем микросхема для конкретных нужд.
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm66200.pdf?ts=1636419622948&ref_url=h...
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
Такие вот и. д. использую https://www.analog.com/ru/products/ltc4357.html#product-overview
Можно мне (я написал то, что помню много лет).
Можно теоретикам.
А можно взять транзистор с известной цоколевкой и потыкать.
Вот свежие результаты: э 0.724, к 0.702
транзистор кт361 (да! какой первый попался), прибор zt301.
тоже потыкал в общем тебе верить можно) правда на двух попавшихся не получилось проверить это кт805 и кт818 одинаково вышло. в общем выход из безвыходной ситуации вполне годный.
Нашел КТ805АМ, сделан IV - 83.
Эмиттер - 0.551, коллектор 0.540
Можно мне (я написал то, что помню много лет).
Можно теоретикам.
А можно взять транзистор с известной цоколевкой и потыкать.
Вот свежие результаты: э 0.724, к 0.702
транзистор кт361 (да! какой первый попался), прибор zt301.
тоже потыкал в общем тебе верить можно) правда на двух попавшихся не получилось проверить это кт805 и кт818 одинаково вышло. в общем выход из безвыходной ситуации вполне годный.
Нашел КТ805АМ, сделан IV - 83.
Эмиттер - 0.551, коллектор 0.540
у меня получилось разброс меньше
КТ805БМ
Э 0.5721, К 0.5714 тысячные доли на глаз плохо воспринимаются они плавают.
Самое надёжное определение Э / Б - это по напряжению обратимого пробоя перехода.
Берёмв высокоомный резистор (например 100 кОм) и подключаем последовательно с неизвестным Б - Х переходом.
Б - Э переход "пробьется" при низком (по сравнению с коллектором) напряжении на уровне 5...8 вольт.
Б - К переход выдержит напряжение не ниже паспортного (максимальное напряжение К-Э / К-Б)
Мужики, а что такое ideal diode? Не в смысле абстракции, а деталь так называется. Это типа диод с нулевым падением напряжения (в даташите вообще не нашёл такого параметра) или что?
Такие вот и. д. использую https://www.analog.com/ru/products/ltc4357.html#product-overview
Хорошая штука, кроме цены... Никогда не пользовался готовыми "идеальными диодами", хватало мосфета и резистора.
Как я понял эти девайсы никак не заставить работать в качестве выпрямителя переменного напряжения. Или всеж можно?
Pyotr, По сравнению с ценами нашего производства это совсем и не дорого.
В выпрямителе LTC4357 наверно использовать не реально в силу внутренней функциональности.
Существует довольно много микр синхронных выпрямителей. TEA1761, ir11672, NCP4304, TEA1792
Или вот, занятная, недорогая , и прям все в себе LP3520 https://datasheetspdf.com/pdf-file/1317569/LANDP/LP3520/1
но для флая только на 5В видимо подойдет, т.к. обратное напряжение небольшое.
ВН, спасибо, посмотрю. Я то любитель-губитель ))